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Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich

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116 KAPITEL 8. VORHERSAGEN VON OPTOELEKTR. EIGENSCHAFTEN<br />

Optische Verstärkung g in cm −1<br />

2000<br />

1800<br />

1600<br />

1400<br />

1200<br />

1000<br />

800<br />

600<br />

400<br />

200<br />

LB und VB: ungekoppelt<br />

LB: gekoppelt, VB: ungekoppelt<br />

LB: gekoppelt, VB: 4x4 ohne SO−Band<br />

LB: gekoppelt, VB: 6x6 mit SO−Band<br />

0<br />

(a)<br />

−200<br />

1.2 1.25 1.3 1.35<br />

hw in eV<br />

100<br />

80<br />

LB und VB: ungekoppelt<br />

LB: gekoppelt, VB: ungekoppelt<br />

LB: gekoppelt, VB: 4x4 ohne SO−Band<br />

LB: gekoppelt, VB: 6x6 mit SO−Band<br />

Optische Verstärkung g in cm −1<br />

60<br />

40<br />

20<br />

0<br />

(b)<br />

−20<br />

1.2 1.25 1.3 1.35<br />

hw in eV<br />

Abbildung 8.2: (a) Die optische Verstärkung eines 68 Å breiten (verspannten)<br />

Al 0,2 Ga 0,8 As-In 0,2 Ga 0,8 As-Quantum-Wells bei 300 K mit den Ladungsträgerdichten<br />

n = 1, 6 · 10 18 cm −3 und p = 1 · 10 18 cm −3 in<br />

TE-Richtung. (b) ist ein Ausschnitt aus (a).

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