Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich
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116 KAPITEL 8. VORHERSAGEN VON OPTOELEKTR. EIGENSCHAFTEN<br />
Optische Verstärkung g in cm −1<br />
2000<br />
1800<br />
1600<br />
1400<br />
1200<br />
1000<br />
800<br />
600<br />
400<br />
200<br />
LB und VB: ungekoppelt<br />
LB: gekoppelt, VB: ungekoppelt<br />
LB: gekoppelt, VB: 4x4 ohne SO−Band<br />
LB: gekoppelt, VB: 6x6 mit SO−Band<br />
0<br />
(a)<br />
−200<br />
1.2 1.25 1.3 1.35<br />
hw in eV<br />
100<br />
80<br />
LB und VB: ungekoppelt<br />
LB: gekoppelt, VB: ungekoppelt<br />
LB: gekoppelt, VB: 4x4 ohne SO−Band<br />
LB: gekoppelt, VB: 6x6 mit SO−Band<br />
Optische Verstärkung g in cm −1<br />
60<br />
40<br />
20<br />
0<br />
(b)<br />
−20<br />
1.2 1.25 1.3 1.35<br />
hw in eV<br />
Abbildung 8.2: (a) Die optische Verstärkung eines 68 Å breiten (verspannten)<br />
Al 0,2 Ga 0,8 As-In 0,2 Ga 0,8 As-Quantum-Wells bei 300 K mit den Ladungsträgerdichten<br />
n = 1, 6 · 10 18 cm −3 und p = 1 · 10 18 cm −3 in<br />
TE-Richtung. (b) ist ein Ausschnitt aus (a).
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