INTRO FISICA MODERNA FULL.pdf - Cosmofisica

163−t/ τυD( t)= υD(0) ⋅ e con τ =γla velocidad de deriva decaerá hasta hacerse cero, con un tiempo de relajación τ (tambiénconocido como tiempo medio entre colisiones 28 ).El valor estacionario de la velocidad de deriva se la puede encontrar de:r r0 = − eε− γυ Dv eτvυD= − ε*mrLa densidad de corriente será: J ner = υDr 2ne τ rDe donde se obtiene: J = ε es decir,*mrJ = σ ⋅r ε (Ecuación que representa la ley de Ohm)*msiendo σ la conductividad eléctrica., que está dada por:σ =2ne τm*El inverso de la conductividad eléctrica se define como la resistividad.La movilidad de los portadores de carga se suele definir como la razón entre la velocidad dederiva y el módulo del campo eléctrico aplicado,υdμ = =εeτ*mSemiconductoresGeneralmente son redes cristalinas de átomos de Silicio o Germanio (o compuestos: Ga-As,Al-Sb, In-Sb, etc.). Se caracteriza por una banda de valencia llena y una de conducciónvacía, separadas por una banda prohibida de menos de 1 eV. Se los puede clasificar comointrínsecos y extrínsecos.Intrínsecos.No contienen muchas impurezas (químicamente puro). La banda de valencia estátotalmente ocupada y la banda prohibida es pequeña (menor a 1 eV). La conductividadcrece al incrementarse con T (en los metales disminuye σ ∝ 1/ T ).oKA T= 0 → el semiconductor se comporta como dieléctrico.28 El tiempo medio entre colisiones se lo puede estimar mediante: l = υ ⋅τsi se conoce el camino libre mediol y la velocidad media de las partículas en el gas. En metales, la velocidad media se la toma como la develocidad de Fermi.