INTRO FISICA MODERNA FULL.pdf - Cosmofisica

167En los semiconductores intrínsecos, al incrementarse la temperatura el tiempo de relajacióndisminuye mientras que la concentración de portadores crece exponencialmente,observándose un incremento neto de la conductividad con la temperatura. En lossemiconductores extrínsecos la conductividad depende de un modo más complejo con ladensidad de portadores 30 como se muestra en la figura:Figura. Conducción eléctrica de los semiconductores extrínsecosJuntura n-pAl poner dos semiconductores tipo n y p en contacto se produce una difusión de electronesdel tipo n al tipo p y de huecos del tipo p al tipo n. Esto conduce a que en la interfaseaparezca una diferencia de potencial a la cual se la llama barrera de contacto que conduceal equilibrio.Figura. Unión n-pAún después de que se establece el equilibrio, existe un flujo de electrones en ambasdirecciones: la excitación térmica puede ocasionar el salto de un electrón de la banda devalencia a la de conducción del semiconductor p, el cual emigrará hacia la unión y seráacelerado hacia el semiconductor n (corriente térmica); un electrón en la banda deconducción del material n podría ganar un poco de energía en una fluctuación y ser capazde moverse hacia p donde se puede combinar con uno de los muchos agujeros de estaregión (corriente de recombinación). Estas corrientes se eliminan pues la corriente neta através de la unión es nula.La concentración de electrones en los dos lados de la unión es:nen= C e−ξn/ kBTenep= C−ξ p / kBTee30 La segunda derivada de la conductividad respecto de la densidad de electrones es positiva, por lo que ladependencia presenta un mínimo.