INTRO FISICA MODERNA FULL.pdf - Cosmofisica

165Tanto los electrones como los huecos son portadores de carga, y puesto que laconductividad es igual al número de portadores de carga se tiene que la conductividadtendrá la misma dependencia, es decir:σ = σ ⋅ e0−ΔE/ 2kBTCon una dependencia de la conductividad en la temperatura de la forma:lnσ∝ 1/TConsulta. 1) Detectores semiconductores de Ge-HP para radiación γ y X.Extrínsecos.Los semiconductores extrínsecos están dopados con impurezas (concentraciones del ordende 10 13 -10 19 impurezas por cm 3 ).Se les llama “tipo n” cuando las impurezas son pentavalentes (ejemplo: fósforo P). En estecaso incrementamos el número de portadores negativos. Se introducen estados de energíaen la banda prohibida (estados donores) cerca de la banda de conducción donde también seencuentra el nivel de Fermi.Se les llama “tipo p” cuando las impurezas son trivalentes (ejemplo: Litio Li). En este caso seincrementa el número de portadores positivos. Se introducen estados de energía en labanda prohibida (estados aceptores) cerca de la banda de valencia donde también seencuentra el nivel de Fermi.Figura. Semiconductores tipo n y p y nivel de Fermi.Al aumentar la temperatura la energía de Fermi E F tiende hacia el centro de la bandaprohibida en ambos tipos de semiconductores.