INTRO FISICA MODERNA FULL.pdf - Cosmofisica

169a la unión verán que la barrera de potencial (disminuyó o aumentó). Si antes su magnitudera:ξ − ξ ahora será: ξ − ξ −V, así que la corriente de difusión varía en un factorpexponencialnderiva, podemos escribir:pneV kBTe / . Puesto que en ausencia de potencial ésta corriente es igual a la deIn= Inp( eeV / kBTUna expresión análoga se satisface para los huecos,−1)Ip= Ipn( eeV / kBT−1)Sumando ambas contribuciones y considerandoI = I np+ I0 pnse tiene,I/ k T=0( e eV BI −1)Cuando la tensión externa es positiva el exponencial crece rápidamente. Se facilita lascondiciones de paso de los portadores de carga mayoritarios. Para tensión inversa, el pasomayoritario de los portadores a través de la unión se dificulta, tendiendo en el límite, a lacorriente de los portadores minoritarios.Figura. Corriente-voltaje de la juntura n-pLa característica fundamental de diodo es entonces la de rectificar un voltaje variable.Los dispositivos de juntura semiconductora tienen múltiples aplicaciones, así se tiene:a) El diodo túnel, donde las regiones semiconductoras n y p están fuertementedopadas, lo que reduce el ancho de la región de agotamiento (unión) y genera unacontribución adicional a la corriente por efecto túnel de electrones de la banda deconducción del semiconductor n a la banda de valencia del p, para voltajes directospequeños. Lo que genera un pico en la curva corriente voltaje (ver página 85).b) Los diodos emisores de luz (LED) que han tenido un avance extraordinario(actualmente se cuenta con LEDs con emisión hasta la región UV media). Lastransiciones de los electrones de conducción a la banda de valencia y la posteriorrecombinación con los huecos generan la emisión de luz.c) Los diodos láser que de igual manera han alcanzado longitudes de onda en la regiónvioleta. Una alta corriente genera la inversión de población requisito para que elsistema lasée.