Diplomarbeit - Institut für Halbleiter

90 KAPITEL 5. CHARAKTERISIERUNG VON NANOSTRUKTUREN
Abbildung 5.16: Defekte in Si. Durch das Verkippen der Probe verschwindet für
den markierten Defekt der Bildkontrast. Daraus lässt sich durch genauere Analyse
die Art und Richtung des Kristalldefekts bestimmen.
Source: fs049x si defects.jpg,fs049x si defects.eps
schrieben, beugen die Elektronen an den periodischen Kristallebenen. Ist die Abfolge der Kris-
tallebenen gestört oder sind diese verzerrt, so hat dies einen Einfluss auf das Beugungsbild.
Da sich das Transmissionsbild aus den ausgewählten Beugungspunkten des Beugungsbildes
zusammensetzt, werden Versetzung und Kristalldefekte auch im Transmissionbild sichtbar.
Je nach Orientierung der Probe zum Elektronenstrahl (�g, siehe Kap. 2.4.4) und Art der
Versetzung ( � b) ist der Bildkontrast, der aufgrund des Defektes im Transmissionsbild erscheint,
mehr oder weniger ausgeprägt [8]. Verschwindet der Versetzungskontrast so gilt:
�g • � b = 0 ⇒ �g ⊥ � b (5.19)
Abbildung 5.16B zeigt den in Gleichung 5.19 beschriebenen Fall, dass der Bildkontrast der
Kristallversetzung verschwindet.
Um den Burgers-Vektor und somit Richtung und Art der Versetzung zu bestimmen, sind
jedoch genaue und aufwendige Analysen notwendig, welche nicht ausgeführt wurden. Ich
wollte in meiner Diplomarbeit auch nur aufzeigen, wie das TEM prinzipiell dazu verwendet
werden kann, um Versetzung in Kristallen zu analysieren.