Diplomarbeit - Institut für Halbleiter
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86 KAPITEL 5. CHARAKTERISIERUNG VON NANOSTRUKTUREN<br />
Abbildung 5.13: Verspannungen aufgrund unterschiedlicher Gitterkonstanten<br />
führen dazu, dass sich im Verlauf des Probenwachstums Verspannungen aufbauen<br />
(aufsummieren). (A) zeigt eine BF-Aufnahme. Um den Verhandlungsprogramm<br />
im Transmissionsbild zu verstärken wurde die Probe leicht verkippt.<br />
(B) zeigt eine DF-Aufnahme. Der Verspannungskontrast kommt durch Wegnahme<br />
des zentralen Beugungsstrahls (DF) besser zur Geltung.<br />
Source: fs033x sige bfdf.jpg,fs033x sige dfdf.eps<br />
5.4 Heterobipolartransistor - HBT<br />
Der Heterobipolartransistor (HBT) ist ein Transistor der neuesten Generation. Er verbin-<br />
det die Vorteile des Si-Ge-Materialsystems mit jenen der Si-Bipolartechnology, wie höhere<br />
Schaltfrequenz <strong>für</strong> Hochfrequenzbauelemente (z.B. <strong>für</strong> drahtlose Kommunikation). Für De-<br />
tails siehe [27]<br />
Abbildung 5.14 zeigt einen Querschnitt durch einen HBT. Durch den hohen Kontrast<br />
(kleine Objektivblende, BF) ist es möglich, die unterschiedlichen Schichten, aus denen sich<br />
der HBT aufbaut, deutlich zu unterscheiden. Eine Charakterisierung von <strong>Halbleiter</strong>bauele-<br />
menten ist besonders <strong>für</strong> die Kontrolle des Herstellungsprozesses notwendig. Hier bietet das<br />
TEM gegenüber anderen Methoden die einzigartige Möglichkeit Querschnitte von <strong>Halbleiter</strong>-<br />
bauelementen zu analysieren.
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