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Diplomarbeit - Institut für Halbleiter

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16KAPITEL 2. GRUNDLAGEN DER TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE<br />

Abbildung 2.3: Streuung eines Elektronenstrahls an einem isolierten Atom. Das<br />

Elektron wird in einem Winkel θ in ein Raumwinkelelement dΩ gestreut. Der gesamte<br />

Raumwinkel in den gestreut wird ist Ω. [4].<br />

Source: electron scattering.jpg,electron scattering.eps<br />

Die Wahrscheinlichkeit eines bestimmten Streumechanismus wird durch den Streuquer-<br />

schnitt σ beschrieben. Jede mögliche Art der Streuung ist durch ihren eigenen Streuquer-<br />

schnitt beschrieben. Dazu ein Zitat von Rudolf Peierls (1986) [4]:<br />

”Wirft man einen Ball gegen eine Fensterscheibe mit einer Fläche von 1 Quadratmeter<br />

und würde der Ball in nur einem von 10 Fällen die Scheibe zerschlagen und in neun von 10<br />

Fällen die Scheibe nicht brechen und der Ball einfach zurückprallen, so wäre der inelastische<br />

Streuquerschnitt 1<br />

10 m2 und der elastische Streuquerschnitt 9<br />

10 m2 ”<br />

Obwohl die SI-Einheit (international standardisiertes Einheitensystem, franz.: systeme<br />

international) des Streuquerschnittes m 2 ist, stellt er keine tatsächlich physikalisch vorhan-<br />

dene Fläche dar, sondern repräsentiert die Wahrscheinlichkeit, dass ein gewisser Streuprozess<br />

eintritt. [4]<br />

Entsprechend seiner Einheit, kann man den Streuquerschnitt durch einen Radius r um<br />

das Streuzentrum (Atom) angeben, wobei r <strong>für</strong> die verschieden Streumechanismen unter-<br />

schiedliche Werte annimmt. [4]<br />

σ = π · r 2<br />

<strong>für</strong> elasitsche Streuung gilt relastisch = Ze<br />

V θ<br />

(2.5)<br />

Z die Ordnungzahl des Atoms, e die Ladung des Elektrons, V das Potential des Elektrons

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