Diplomarbeit - Institut für Halbleiter
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16KAPITEL 2. GRUNDLAGEN DER TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE<br />
Abbildung 2.3: Streuung eines Elektronenstrahls an einem isolierten Atom. Das<br />
Elektron wird in einem Winkel θ in ein Raumwinkelelement dΩ gestreut. Der gesamte<br />
Raumwinkel in den gestreut wird ist Ω. [4].<br />
Source: electron scattering.jpg,electron scattering.eps<br />
Die Wahrscheinlichkeit eines bestimmten Streumechanismus wird durch den Streuquer-<br />
schnitt σ beschrieben. Jede mögliche Art der Streuung ist durch ihren eigenen Streuquer-<br />
schnitt beschrieben. Dazu ein Zitat von Rudolf Peierls (1986) [4]:<br />
”Wirft man einen Ball gegen eine Fensterscheibe mit einer Fläche von 1 Quadratmeter<br />
und würde der Ball in nur einem von 10 Fällen die Scheibe zerschlagen und in neun von 10<br />
Fällen die Scheibe nicht brechen und der Ball einfach zurückprallen, so wäre der inelastische<br />
Streuquerschnitt 1<br />
10 m2 und der elastische Streuquerschnitt 9<br />
10 m2 ”<br />
Obwohl die SI-Einheit (international standardisiertes Einheitensystem, franz.: systeme<br />
international) des Streuquerschnittes m 2 ist, stellt er keine tatsächlich physikalisch vorhan-<br />
dene Fläche dar, sondern repräsentiert die Wahrscheinlichkeit, dass ein gewisser Streuprozess<br />
eintritt. [4]<br />
Entsprechend seiner Einheit, kann man den Streuquerschnitt durch einen Radius r um<br />
das Streuzentrum (Atom) angeben, wobei r <strong>für</strong> die verschieden Streumechanismen unter-<br />
schiedliche Werte annimmt. [4]<br />
σ = π · r 2<br />
<strong>für</strong> elasitsche Streuung gilt relastisch = Ze<br />
V θ<br />
(2.5)<br />
Z die Ordnungzahl des Atoms, e die Ladung des Elektrons, V das Potential des Elektrons