Diplomarbeit - Institut für Halbleiter

78 KAPITEL 5. CHARAKTERISIERUNG VON NANOSTRUKTUREN
{111}-Ebenenabstand von 3,14 ˚A (siehe Gleichung 2.16) in der [111]- bzw. der [111]-Richtung
bzw. allgemein in den 〈111〉-Richtungen aufzulösen.
Abbildung 5.7: Hochaufgelöstes kristallines Silizium in [001]-Richtung, P-Probe.
(Vergrößerung 1,5 Mio) Der Winkel zwischen zwei 〈001〉-Richtungen 90¤ beträgt .
Der 220-Ebenenabstand von 1,92 ˚A ist eingezeichnet.
Source: fs0236 si hires p.jpg,fs0236 si hires p.eps
Der Ebenenabstand kann dazu verwendet werden, den Vergrößerungsbalken zu überprüfen
bzw. eine Abweichung zu ermitteln. Dazu muss lediglich eine Linie mit der gleichen Länge
wie der Vergrößerungsbalken ohne Längenveränderung in eine der 〈111〉-Richtungen gedreht
werden, was mit verschiedenen Bildbearbeitungsprogrammen leicht möglich ist. Einfaches
Abzählen der Atomebenen entlang der Linie ergibt dann die tatsächliche Länge des Ver-
größerungsbalken.
17 Atomebenen á 3, 14 ˚A = 53, 5 ˚A (5.7)
Länge des Vergrößerungsbalken laut Mikroskop: 5nm = 50, 0 ˚A (5.8)
Der Winkel zwischen der [111]- bzw. der [111]-Richtung α measured
X
Abweichung = 7% (5.9)
kann ebenfalls herausge-