Diplomarbeit - Institut für Halbleiter

68 KAPITEL 4. PROBENPRÄPARATION
Während der Ionendünnung wird die Probe mit monochromatischem Licht von oben
bestrahlt. An der Ober- und der Unterseite der Probe wird das Licht reflektiert. Diese
beiden reflektierten Strahlen interferieren miteinander. Unterschreitet die Probe eine
gewisse Dicke, so bildet sich ein typisches Interferenzmuster - sogenannte Newton-Ringe
[2] - aus. Mit einem auf die Probe fokussierten optischen Mikroskop mit eingebauter
Videokamera kann das Entstehen dieser Newton-Ringe und somit der Fortschritt der
Ionendünnung auf einem Kontrollmonitor beobachtet werden. (Abb. 4.6. Anhand der
Anzahl der Newton-Ringe kann die Restdicke der Probe abgeschätzt werden.
Wird zu viel gesputtert, entsteht ein Loch in der Probe. Bei einer X-Probe führt dies
dazu, dass jene an den Kleber grenzende Schicht abgetragen wird. So kann es passieren,
dass von der zentralen (in der Probe oberflächennahen) Schicht, die man eigentlich
untersuchen möchte (Abb. 4.2, main interface), nichts mehr übrig bleibt. Abbildung
4.7 zeigt typische Sputterschäden durch zu langes Ionendünnen.
Abbildung 4.7: Sputterschäden durch zu langes Ionendünnen. Von der oberflächennahen
Schicht bleibt nur noch eine sägezahnähnliche Struktur übrig. Die
Probe ist somit unbrauchbar.
Source: fs0216 sputterdefects.jpg,fs0216 sputterdefects.eps
4.2 Alternative Probenpräparationstechniken
Die im Kapitel 4.1 beschriebene Probenpräparation bezieht sich vor allen Dingen auf Proben
aus Silizium. Dieses Material ist aufgrund seiner Eigenschaften relativ leicht zu präparieren.
Besonders harte oder weiche Materialien bedingen unter Umständen völlig andere Präparations-
techniken oder Prozesse unter Verwendung anderer Materialien bzw. Schleif- und Poliermittel.