Diplomarbeit - Institut für Halbleiter

4.1. TEILSCHRITTE DER PROBENPRÄPARATION 67
Schleifpasten und Poliersuspensionen Verwendung finden. Anfangs werden Schleifräder
aus Bronze und eine Schleifpaste mit einer Körnung von ≈ 3µm verwendet; danach Po-
lierfilz mit einer 1µm-Paste. Poliert wird mittels Polierfilze und einer 0, 05µm-Aluminium-
oxidsuspension. [19]
Wird zu tief gedimpelt, besteht die Gefahr, dass sich ein Loch im Zentrum der Probe
bildet, hört man zu früh mit dem Dimpeln auf, bleibt die Probe für den Elektronen-
strahl undurchlässig. Für Silizium gilt: Der Dimple-Schritt ist dann gelungen, wenn die
dünnste Stelle der Probe, der zentrale Bereich des Dimple, rötlich durchscheinend ist.
Abbildung 4.6: Precession Ion Polishing System von Gatan. [18]
Source: gatan pips.jpg,gatan pips.eps
Schritt 8: Ionendünnen. Um auf die angestrebte Dicke von unter 100nm zu kommen, muss
die Probe weiter gedünnt werden. Da dies durch mechanische Methoden nicht mehr ein-
fach möglich ist, verwendet man die Technik der Ionendünnung. Dazu wird die Probe
in eine sogenannte Ionenmühle eingebaut. Im speziellen wurde für die Präparation mei-
ner Proben ein Precession Ion Polishing System - PILS der Firma Gatan (Abb. 4.6)
verwendet.
Durch Beschuss von beschleunigten (2 − 3kV ) Argon-Ionen wird die Probe weiter aus-
gedünnt (Abb. 4.2, step 8).
Die Probe befindet sich dabei im Vakuum auf einer sich drehenden Bühne. Durch
Variieren der Beschleunigungsspannung und des Auftreffwinkels der Argon-Atome auf
die Probe, kann der Sputterprozess (engl.: to sputter, dt.: zerstäuben) gesteuert werden.
Es kann sowohl von unten als auch von oben gesputtert werden.