Diplomarbeit - Institut für Halbleiter

5.1. SILIZIUM 79
messen und mit dem theoretischen Wert α theor.
X
verglichen werden:
α measured
X = 71¢ (5.10)
α theor.
X = 70, 5¢ (5.11)
In einer P-Probe erscheinen die Si-Atome so eng beisammen, dass ihr größter prinzipiell in
einem TEM sichtbarer Atomebenenabstand (1,92 ˚A für den {220}-Ebenenabstand, sie Auswahlregeln)
unterhalb der für das TEM JEM2011 spezifizierten Auflösung von 2,3 ˚A liegt [14].
Deshalb ist es ausgesprochen schwierig und mit einem hohem Mikroskopieraufwand verbunden,
qualitativ gute Aufnahmen einer P-Probe in Hochauflösung zu machen. Abbildung 5.7
zeigt das Resultat einer gelungenen Mikroskopierarbeit.
Abbildung 5.8: Hochaufgelöste Grenzfläche zwischen kristallinem Silizium und
amorpher Kleberschicht. Klar zeichnet sich die letzte Reihe von Silizium Atomen
gegenüber dem Kleber ab. (Vergrößerung 1,5 Mio)
Source: fs0287 si bonds.jpg,fs0287 si bonds.eps
Abbildung 5.8 zeigt den Übergang von kristallinem Silizium zur amorphen Kleberschicht
einer X-Probe (siehe Kapitel 4.1). Bei dieser Aufnahme mit einer Vergrößerung von 1,5 Mio.
zeichnet sich die letzte Schicht von Si-Atomen klar gegenüber der hellen Kleberschicht ab.
Ein schönes Beispiel atomarer Hochauflösung.