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Diplomarbeit - Institut für Halbleiter

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82 KAPITEL 5. CHARAKTERISIERUNG VON NANOSTRUKTUREN<br />

konstanten <strong>für</strong> Silizium aSi = 5, 431 ˚A [22] mittels Gleichung 2.16 berechnet werden.<br />

d (111)<br />

Si<br />

=<br />

aSi<br />

� (−1) 2 + (−1) 2 + 1 2<br />

= aSi<br />

√3 = 3, 136 ˚A (5.14)<br />

Durch Kenntnis der Periode eines der beiden das Moiré-Muster bildenden Kristallgitter kann<br />

durch Ausmessen der Moiré-Periode die Periode des zweiten Kristallgitters (der Substanz X)<br />

berechnet werden: Entlang der weissen Linie liegen 4 Perioden des Moiré-Muster und ca. 17<br />

- 18 Atomreihen Silizium in [111]-Richtung. Daraus ergeben sich folgende Perioden:<br />

d (111)<br />

Si = 3, 14 ˚A (5.15)<br />

d (111)<br />

M =<br />

17, 5 · 3, 41<br />

4<br />

= 13, 7 ˚A (5.16)<br />

Durch Umwandlung von Gleichung 5.12 ergibt sich <strong>für</strong> die Periode von der neben dem Si<br />

am Moiré-Muster beteiligten Substanz in [111]-Richtung, also <strong>für</strong> den (111)-Ebenenabstand:<br />

d (111)<br />

X<br />

d(111)<br />

Si =<br />

d (111)<br />

Si<br />

· d (111)<br />

M<br />

+ d(111)<br />

M<br />

= 3, 14 · 13, 7<br />

3, 14 + 13, 7 = 2, 54 ˚A (5.17)<br />

Ausgehend von diesem Wert kann man nun auf die Gitterkonstante des überlagerten Kristallgitters<br />

(X) zurückrechnen. Dazu muss die Gleichung 2.16 nur entsprechend umgewandelt<br />

werden.<br />

d (111)<br />

X<br />

=<br />

aX<br />

� (−1) 2 + (−1) 2 + 1 2<br />

→ aX = d (111)<br />

X · √ 3 = 2, 54 · √ 3 = 4, 34 ˚A (5.18)<br />

Ein Vergleich mit Tabellenwerten zeigt, dass es sich beim zweiten, überlagerten Kristallgitter<br />

um Siliziumkarbid (SiC) handelt. Die Gitterkonstante von SiC beträgt nämlich aSiC = 4, 36 ˚A<br />

[24]. Das Moiré-Muster in Abbildung 5.10 ergibt sich also aus einer Überlagerung von Si mit<br />

SiC. Der durch die Fullerene eingebrachte Kohlenstoff hat sich also mit dem Silizium beim<br />

Aufheizen der Probe zu SiC verbunden.<br />

Obwohl rundherum von Silizium umschlossen und obwohl aSi und aSiC sich um ca. 20 %<br />

unterscheiden, ist das Kristallgitter von SiC offenbar nicht verspannt, da aX keine signifikante<br />

Abweichung von aSiC aufweist.<br />

5.2.3 Silizium -Siliziumkarbid in Plan-View<br />

Bei der Untersuchung von Proben, welche aus mehreren Elementen oder Verbindungen bestehen,<br />

ist es oft von Interesse die örtliche Verteilung dieser Elemente zu kennen. Im speziellen

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