Diplomarbeit - Institut für Halbleiter
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82 KAPITEL 5. CHARAKTERISIERUNG VON NANOSTRUKTUREN<br />
konstanten <strong>für</strong> Silizium aSi = 5, 431 ˚A [22] mittels Gleichung 2.16 berechnet werden.<br />
d (111)<br />
Si<br />
=<br />
aSi<br />
� (−1) 2 + (−1) 2 + 1 2<br />
= aSi<br />
√3 = 3, 136 ˚A (5.14)<br />
Durch Kenntnis der Periode eines der beiden das Moiré-Muster bildenden Kristallgitter kann<br />
durch Ausmessen der Moiré-Periode die Periode des zweiten Kristallgitters (der Substanz X)<br />
berechnet werden: Entlang der weissen Linie liegen 4 Perioden des Moiré-Muster und ca. 17<br />
- 18 Atomreihen Silizium in [111]-Richtung. Daraus ergeben sich folgende Perioden:<br />
d (111)<br />
Si = 3, 14 ˚A (5.15)<br />
d (111)<br />
M =<br />
17, 5 · 3, 41<br />
4<br />
= 13, 7 ˚A (5.16)<br />
Durch Umwandlung von Gleichung 5.12 ergibt sich <strong>für</strong> die Periode von der neben dem Si<br />
am Moiré-Muster beteiligten Substanz in [111]-Richtung, also <strong>für</strong> den (111)-Ebenenabstand:<br />
d (111)<br />
X<br />
d(111)<br />
Si =<br />
d (111)<br />
Si<br />
· d (111)<br />
M<br />
+ d(111)<br />
M<br />
= 3, 14 · 13, 7<br />
3, 14 + 13, 7 = 2, 54 ˚A (5.17)<br />
Ausgehend von diesem Wert kann man nun auf die Gitterkonstante des überlagerten Kristallgitters<br />
(X) zurückrechnen. Dazu muss die Gleichung 2.16 nur entsprechend umgewandelt<br />
werden.<br />
d (111)<br />
X<br />
=<br />
aX<br />
� (−1) 2 + (−1) 2 + 1 2<br />
→ aX = d (111)<br />
X · √ 3 = 2, 54 · √ 3 = 4, 34 ˚A (5.18)<br />
Ein Vergleich mit Tabellenwerten zeigt, dass es sich beim zweiten, überlagerten Kristallgitter<br />
um Siliziumkarbid (SiC) handelt. Die Gitterkonstante von SiC beträgt nämlich aSiC = 4, 36 ˚A<br />
[24]. Das Moiré-Muster in Abbildung 5.10 ergibt sich also aus einer Überlagerung von Si mit<br />
SiC. Der durch die Fullerene eingebrachte Kohlenstoff hat sich also mit dem Silizium beim<br />
Aufheizen der Probe zu SiC verbunden.<br />
Obwohl rundherum von Silizium umschlossen und obwohl aSi und aSiC sich um ca. 20 %<br />
unterscheiden, ist das Kristallgitter von SiC offenbar nicht verspannt, da aX keine signifikante<br />
Abweichung von aSiC aufweist.<br />
5.2.3 Silizium -Siliziumkarbid in Plan-View<br />
Bei der Untersuchung von Proben, welche aus mehreren Elementen oder Verbindungen bestehen,<br />
ist es oft von Interesse die örtliche Verteilung dieser Elemente zu kennen. Im speziellen