Diplomarbeit - Institut für Halbleiter

5.2. SILIZIUM - SILIZIUMKARBID 81
Für die in Abbildung 5.9 gezeichneten Strichgitter gilt: d1 = 2, 0, d2 = 2, 5. Nach Gleichung
5.12 ergibt sich damit:
dM =
2, 0 · 2, 5
= 10 (5.13)
2, 5 − 2, 0
Das Moiré-Muster wiederholt sich also alle 10 Längeneinheiten, oder alle 5 Striche des Gitters
(a) in Abbildung 5.9 bzw. alle 4 Striche des Gitters (b). Aus TEM-Bildern (wie Abb. 5.10)
lässt sich die Periode des Moiré-Musters herausmessen. Kennt man die Periode eines der
beiden am Moiré-Muster beteiligten Kristallgitter, so bietet Gleichung 5.12 die Möglichkeit
die zweite Gitterperiode zu berechnen.
Abbildung 5.10: Hochauflösung von kristallinem Silizium mit Moiré-Muster aufgrund
von SiC-Einschlüssen (A) an der Oberfläche und (B) von Silizium umschlossen.
Source: fs021x sic moire.jpg,fs021x sic moire.eps
Aus Abbildung 5.10 lässt sich die Periode des Moiré-Musters gut bestimmen. Das um-
gebende kristalline Silizium lässt sich aufgrund der Hochauflösung als Referenzlängenskala
nützen. Der Atomebenenabstand von Silizium in [111]-Richtung d (111)
Si
kann aus der Gitter-