Diplomarbeit - Institut für Halbleiter
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5.5. KRISTALLINE ORIENTIERUNG 87<br />
Abbildung 5.14: Heterobipolartransistor der neuesten Generation.<br />
(Veröffentlichung mit freundlicher Genehmigung der AMS - austriamicrosystems<br />
AG,8141 Schloss Premstätten, Austria)<br />
Source: fs0663 hbt.jpg,fs0663 hbt.eps<br />
5.5 Kristalline Orientierung<br />
Manche Proben bestehen aus Bereichen unterschiedlicher kristalliner Orientierung. Abbil-<br />
dung 5.15 zeigt den Bereich auf einer Si/SiC-Probe, der aufgrund von Präparationsdefekten<br />
keine einheitliche kristalline Orientierung mehr aufweist, sondern in mehr oder weniger kleine<br />
Cluster mit unterschiedlicher kristalliner Orientierung zerfallen ist.<br />
Kapitel 5.1.2 hat gezeigt, dass sich je nach Orientierung des Kristalls zum Elektronenstrahl<br />
unterschiedliche Beugungsbilder ergeben (Abb. 5.2 X und P). Durchdringt nun ein Elektro-<br />
nenstrahl einen Probenbereich in dem unterschiedliche kristalline Orientierungen enthalten<br />
sind, so kommt es zu einer Überlagerung der Beugungsbilder (Abb. 5.15B). Das Beugungsbild<br />
enthält dann Information von all diesen unterschiedlich orientierten kristallinen Bereichen.<br />
Jeder dieser Beugungspunkte entsteht durch Beugung im einem Kristallbereich mit einer<br />
bestimmten Orientierung. Je intensiver der Beugungspunkt, desto größer ist der Bereich im<br />
Kristall mit eben dieser kristallinen Ausrichtung. Die Objektivblende kann nun dazu benutzt<br />
werden, diese Bereiche selektiv darzustellen, in dem mit der Objektivblende einzelne Beu-<br />
gungspunkte auswählt werden und daraus das Transmissionbild entsteht. Abbildung 5.15C
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