Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...

6. Untersuchungsergebnisse
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Abbildung 76: HVHF Plasmajet CVD Prozessbild während des Vorwärmens eines Substrats
in einem Ar / H2 Plasma bei 100 mm Substratabstand
Auf Grund der statischen Einwirkung des rotationssymmetrischen Plasmastrahls weisen auch
die Schichten einen rotationssymmetrischen Aufbau auf. Die Übergänge zwischen Bereichen
unterschiedlichen Aufbaus sind nicht so scharf wie bei Drei-Brenner DC Plasmajet CVD
Schichten. Die dem Plasmastrahl zugängliche Fläche kann in Abhängigkeit von den
Prozessparametern nahezu vollständig beschichtet werden (Abbildung 77), wobei die Schicht
über die gesamte Fläche homogen aufgebaut ist.
Generatorleistung: 43,4 kW Zentralgas: Ar (20 l/min)
Zerstäubergas: N2 (12 l/min) Hüllgas: Ar / N2 (22 / 27 l/min)
Abbildung 77: Aufsicht auf eine HVHF Plasmajet CVD Schicht auf einem S235JR Substrat