Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...
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5. Versuchsdurchführung<br />
67<br />
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Abbildung 18: Precursorförderstrecke<br />
Zum Zerstäuben der flüssigen Ausgangsstoffe wird eine Düse mit einem Öffnungsdurchmesser<br />
<strong>von</strong> 0,4 mm in ein T-Stück eingesetzt, wobei mit Hilfe eines Zerstäubergases, das über<br />
die seitliche Verzweigung zugeführt wird und die Düse umströmt, eine feine Zerstäubung<br />
erreicht wird. Die Injektion der Precursoren in den Plasmastrahl geschieht jeweils unter einem<br />
Winkel <strong>von</strong> 97° zur Ausbreitungsrichtung der Plasmaströmung. Um die Substrattemperatur<br />
konstant zu halten, wird ein wassergekühlter Probenhalter eingesetzt. Das Prozessparameterfeld<br />
ist in Tabelle 6 zusammengefasst.<br />
Tabelle 6: Prozessparameterfeld der DC Plasmajet CVD Synthese<br />
Parameter Werte<br />
Plasmastrom [A] 300 – 500<br />
Plasmaleistung [kW] 11,5 – 25<br />
Kammerdruck [kPa] 5 – 20<br />
Brennerabstand [mm] 100 – 200<br />
Primärgas: Argon<br />
Flussrate [l/min] 30 – 50<br />
Sekundärgas: Wasserstoff<br />
Flussrate [l/min] 0 – 3<br />
Zerstäubergas: Argon<br />
Flussrate [l/min] 2 – 4<br />
Precursorförderrate [10 -3 l/min] 0,5 – 25