Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...
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6. Untersuchungsergebnisse<br />
77<br />
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tere Spezies wird unabhängig vom Ort im Plasmastrahl und der Variation der Plasmaparameter<br />
nicht gefunden. Sauerstoff oder sauerstoffhaltige Spezies wie OH, H2O, CO, CO2 oder<br />
SiO, die bei Einsatz des Precursors HMDSO möglich erscheinen, können nicht nachgewiesen<br />
werden.<br />
Intensität [Einheiten]<br />
3500<br />
3000<br />
2500<br />
2000<br />
1500<br />
1000<br />
500<br />
0<br />
C<br />
Si<br />
Si<br />
Si<br />
Si<br />
I = 400 A<br />
P = 13 kW<br />
V´ Ar = 35 l/min<br />
V´ H2 = 2 l/min<br />
V´ Zerst., Ar = 2 l/min<br />
V´ Prec. = 0,01 l/min<br />
p = 70 hPa<br />
260 280 300 320 340 360 380 400<br />
Wellenlänge [nm]<br />
Abbildung 24: Emissionsspektrum während des Beschichtens mit dem Precursor HMDSO<br />
im Bereich ultravioletter Wellenlängen (Brennerabstand 10 mm)<br />
Im Folgenden wird die Intensität charakteristischer Wellenlängen der Spezies als Funktion<br />
des Brennerabstandes betrachtet, um Aussagen über die Dichte angeregter Spezies in Abhängigkeit<br />
vom Ort im Plasmastrahl und damit über die plasmachemischen Reaktionen treffen zu<br />
können. Im sichtbaren Wellenlängenbereich wird für das atomare Silicium die einzige deutliche<br />
Emissionslinie bei 390,5 nm gewählt, da diese keine nennenswerte Überlagerung mit<br />
anderen Emissionslinien <strong>auf</strong>weist; im ultravioletten Bereich werden die Linien bei 250,7 und<br />
263,1 nm betrachtet. Für atomaren Wasserstoff wird die Hγ Linie bei 434,0 nm gewählt, da sie<br />
eine zur gewählten Siliciumlinie vergleichbare Intensität <strong>auf</strong>weist und somit ein Messwertbereich,<br />
der eine gute Auflösung für alle Spezies erlaubt, vorgegeben werden kann. Die<br />
Emissionsintensität der intensivsten Argonlinie bei 763,5 nm ist ebenfalls vergleichbar und<br />
bietet sich somit für Untersuchungen an. Allein die Emissionslinie bei 247,9 nm kann C<br />
zugeordnet werden. Aus der C2 Bande zwischen 450 und 485 nm wird die intensivste Linie<br />
Si
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