Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...

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2. Stand der Forschung
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Ort für eine 2 mm dicke Grenzschicht ist in Abbildung 6 dargestellt. Als Kriterium für die
Dicke der Grenzschicht geht die aus Enthalpiesondenmessungen bestimmte 4.000 K Isotherme
ein. Ausgangspunkt der Simulation ist die Gleichgewichtszusammensetzung bei 4.000 K.
Abbildung 5: Grenzschichtausbildung bei unterschiedlichen Anströmbedingungen der
Substratoberfläche [Fre95]
molarer Anteil
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
10 -4
10 -5
10 -6
10 -7
10 -8
10 -9
0,0
CH
2 2
CH 4
CH 2
0,5 1,0
Substratabstand [mm]
1,5 2,0
Abbildung 6: Berechnete Entwicklung der Spezieskonzentration in einer 2 mm dicken
Grenzschicht über einen Substrat während der TPCVD Synthese von
Diamantschichten (Ar / H2 / CH4 Verhältnis 11:1:0,02) [Yu94]
CH
H 2
C
CH 3
H