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Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...

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28<br />

2. Stand der Forschung<br />

______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________<br />

gleichermaßen für den Einsatz gasförmiger und flüssiger Precursoren im Bereich für die<br />

Schichtabscheidung sinnvoller Flussraten. Die Gleichgewichtszusammensetzung <strong>von</strong> Spezies<br />

als Funktion der Temperatur für ein H / CH4 Verhältnis <strong>von</strong> 1:0,02, was einer typischen<br />

Zusammensetzung für die TPCVD Synthese <strong>von</strong> Diamantschichten entspricht, ist in<br />

Abbildung 4 dargestellt. Üblicherweise erreichen die Precursorspezies durch den Wärmeübertrag<br />

des Plasmastrahls Temperaturen <strong>von</strong> 4.000 bis 5.000 K, so dass im Plasmastrahl im<br />

Wesentlichen atomarer Kohlenstoff vorliegt.<br />

Die aus der Verdampfung und Dissoziation der Precursoren resultierenden Atome können<br />

untereinander und / oder mit Plasmagasspezies sowie aus der Umgebung eingemischten<br />

Gasen Reaktionen eingehen und niedermolekulare Radikale bilden. Aus der TPCVD Diamantsynthese<br />

aus CH4 ist bekannt, dass neben atomarem C auch C2 Radikale und in wesentlich<br />

geringeren Anteilen die Kohlenwasserstoffradikale CHx (mit 1 < x < 3), C2Hy (mit y < 6)<br />

und C3Hz (mit z < 8) entstehen [Gir93a, Lar99]. Der Anteil nimmt sowohl mit steigender<br />

Anzahl der Kohlenstoffatome als auch mit der Anzahl der gebundenen Wasserstoffatome ab.<br />

molarer Anteil<br />

10 0<br />

10 -1<br />

10 -2<br />

10 -3<br />

10 -4<br />

10 -5<br />

10 -6<br />

10 -7<br />

10 -8<br />

10 -9<br />

C<br />

CH 4<br />

CH 3<br />

1000 2000 3000<br />

Temperatur [K]<br />

4000 5000<br />

H 2<br />

H<br />

CH<br />

2 2<br />

Abbildung 4: Speziesanteile eines Argon-Wasserstoff-Methan Gemisches (Verhältnis<br />

11:1:0,02) als Funktion der Temperatur [Yu94]<br />

Das Bilden <strong>von</strong> Molekülen mit mehreren Siliciumatomen ist aus der CVD Synthese epitaktischen<br />

Siliciums aus SiH4 bekannt. Thermodynamische Untersuchungen weisen nach, dass<br />

bei Temperaturen, bei denen SiH4 im wesentlichen dissoziiert vorliegt (700 K), die Entropie<br />

des Systems durch das Bilden <strong>von</strong> Ringen mit 3 oder 4 Siliciumatomen gesenkt wird. Dies<br />

beruht <strong>auf</strong> der erhöhten Molmenge <strong>von</strong> Spezies in der Gasphase.

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