Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...

6. Untersuchungsergebnisse
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Int.
(a)
(b)
111
200
220
Si
400
20 30 40 50 60 70
2Θ [°]
Abbildung 41: Diffraktogramm einer SiC Schicht aus Trimethylchlorsilan (a) mit theoretischem
Beugungsmuster von kristallinem SiC (b) auf einem Siliciumwafer,
Int.
2000
1000
0
dem der intensive Reflex bei 2θ = 69,7° zuzuordnen ist
* * β-SiC
20 30 40 50 60 70 80
2Θ [°]
Abbildung 42: Pulverdiffraktogramm einer vom Siliciumwafer abgelösten teilkristallinen
Schicht aus Trimethylchlorsilan
Auch beim Einsatz der Disilanfraktion der Rückstände aus der Müller-Rochow Synthese gelingt
die Herstellung von Si-C Schichten mit röntgenamorpher oder teilkristalliner Struktur. In
Abbildung 43 ist das FTIR Spektrum einer teilkristallinen Schicht aus der Disilanfraktion
dargestellt. Die Banden bei ca. 3400 und 1600 cm -1 können OH Schwingungen zugeordnet
werden und weisen somit auf in der Schicht adsorbiertes Wasser hin. Darüber hinaus lassen
sich drei Banden bei ca. 460, 850 und 1050 cm -1 unterscheiden. Methylgruppen, die durch
Absorptionsbanden bei 1270 und 1410 cm -1 charakterisiert sind, lassen sich nicht nachweisen,
so dass das Vorliegen von CH3 Endgruppen in der Schichtstruktur ausgeschlossen werden
kann. Auch die Bindung zweier Siliciumatome über CH2 Brücken kann ausgeschlossen
*
*
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