Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...

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6. Untersuchungsergebnisse
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werden, da sowohl die entsprechende Bande bei 1350 cm -1 als auch die für C-H Bindungen
charakteristischen Banden zwischen 2900 und 3000 cm -1 fehlen. Vielmehr kann die Bande bei
850 cm -1 Si-C Schwingungen zugeordnet werden [Mar97]. Die Bande bei ca. 460 cm -1 kann
auf Si-Cl Bindungen und die bei ca. 1050 cm -1 auf Si-O Bindungen zurückgeführt werden.
Somit ist die Schicht aus einem Gerüst von Si-C und Si-O Bindungen mit Chlorendfunktionen
aufgebaut und enthält adsorbiertes Wasser.
Abbildung 43: IR Spektrum einer vom Siliciumsubstrat abgelösten Schicht aus einer Chlordisilanmischung
Eine sechsstündige Wärmebehandlung der Schicht aus der Chlordisilanmischung bei 900 °C
unter Schutzgas (Ar) erbringt keine wesentliche Veränderung des IR Spektrums (Abbildung
44). Die Si-O Bindungen zugeordnete Bande bei ca. 1050 cm -1 ist zu höheren Wellenzahlen
zwischen 1050 und 1200 cm -1 verschoben und deutlich von der Bande für Si-C
Bindungen bei ca. 820 cm -1 zu trennen. Die Si-Cl Bindungen zugeordnete Bande bei ca.
480 cm -1 tritt wesentlich deutlicher hervor als bei der Schicht im unbehandelten Zustand. Die
Entwicklung zu schmäleren Banden deutet auf eine einsetzende Phasenseparation und erhöhte
kristalline Ordnung hin, was durch schmalere (111) Reflexe von β-SiC Kristalliten in XRD
Untersuchungen bestätigt wird. Auch nach der Wärmebehandlung enthält die Schicht
adsorbiertes Wasser. Der Verbleib von Chlor in der Schichtstruktur nach der Wärmebehandlung
bei 900 °C entspricht Beobachtungen aus Untersuchungen zur Kristallisation von Polychlormethylsilanen
während der Pyrolyse [Mar96]. Erst zwischen 900 und 1050 °C entweicht
der Restchlorgehalt begleitet von starkem Schrumpfen. Die Banden zwischen 2800 und