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Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...

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8. Zusammenfassung<br />

145<br />

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und evt. auch Cluster sukzessiv an der Substratoberfläche die Schicht bilden. Da das Entstehen<br />

eines übersättigten Dampfes wesentlich <strong>von</strong> den Temperaturgradienten im Plasma bestimmt<br />

ist, entscheidet die Abstimmung <strong>von</strong> Precursorförderrate und Plasmaparametern über<br />

die Abscheidebedingungen.<br />

Auch die Substrattemperatur ist ein entscheidender Parameter. Bei unzureichenden Substrattemperaturen<br />

weisen die Schichten keine Haftung zum Substrat <strong>auf</strong>. Hohe Substrattemperaturen<br />

ermöglichen <strong>auf</strong> Grund der guten Beweglichkeit <strong>von</strong> Spezies an der Substratoberfläche<br />

das Abscheiden dichter Morphologien, bewirken aber auch eine geringe Keimdichte <strong>auf</strong> dem<br />

Substrat, so dass Poren im Interface zum Substrat gebildet werden können.<br />

Neben Silicium, Stählen, Titan, Kupfer, Messing, Molybdän und Aluminiumlegierungen können<br />

auch Graphit und C / SiC Verbunde beschichtet werden. Im allgemeinen neigen Schichten<br />

<strong>auf</strong> Substraten mit angepasstem thermischen Ausdehnungskoeffizienten weniger zum Abplatzen.<br />

Darüber hinaus ist die Haftfestigkeiten der Schichten <strong>auf</strong> Werkstoffen, die keine Karbide<br />

oder Silizide bilden, besonders gut.<br />

Insgesamt besitzen die TPCVD Prozesse ein hohes Potenzial zur Integration in industrielle<br />

Fertigungsprozesse für die Herstellung verschleiß-, korrosions- und oxidationsbeständiger<br />

<strong>Hartstoffschichten</strong> <strong>auf</strong> der Basis <strong>von</strong> Silicium. Da auch partielle Beschichtungen mit<br />

geringem Aufwand <strong>auf</strong>gebracht werden können, ist das Verfahren auch für Reparaturbeschichtungen<br />

und den partiellen Schutz hochbelasteter Bauteilzonen geeignet. Für Schichten<br />

mit kolumnarem Aufbau sind auch Anwendungen in der Verfahrenstechnik bei Bedarf <strong>von</strong><br />

katalytisch wirkenden Schichten mit extrem großer Oberfläche denkbar.<br />

Zum Erzielen homogener Schichteigenschaften ist eine homogene Substrattemperaturverteilung<br />

und ein konstanter Brennerabstand notwendig. Somit sind die thermischen Plasmajet<br />

CVD Verfahren bislang <strong>auf</strong> vergleichsweise einfache Bauteilgeometrien, wie kleine, flache<br />

Platten oder zylindrische Bauteile, beschränkt. Gelingt es, die Substrattemperatur bspw. durch<br />

eine angepasste Kühlung auch bei komplex geformten Bauteilen konstant zu halten, so steht<br />

bei abgestimmter Brennerbewegung ein universell einsetzbares Beschichtungsverfahren zur<br />

Verfügung.<br />

Die Ergebnisse der durchgeführten Untersuchungen lassen sich <strong>auf</strong> andere Schichtsysteme<br />

übertragen, für die flüssige Precursoren eingesetzt werden können. Der Literatur ist zu entnehmen,<br />

dass Werkstoffe aus dem System Si-B-C-N, die über die Polymerroute hergestellt<br />

wurden, eine wesentlich verbesserte Beständigkeit in hoch sauerstoffhaltigen Atmosphären im<br />

Vergleich zu SiC oder Si3N4 <strong>auf</strong>weisen [But99]. Zur TPCVD Synthese derartiger Schichtsysteme<br />

oder <strong>von</strong> superharten Schichten mit verbesserter thermischer Beständigkeit <strong>auf</strong> Basis

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