Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...
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8. Zusammenfassung<br />
145<br />
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und evt. auch Cluster sukzessiv an der Substratoberfläche die Schicht bilden. Da das Entstehen<br />
eines übersättigten Dampfes wesentlich <strong>von</strong> den Temperaturgradienten im Plasma bestimmt<br />
ist, entscheidet die Abstimmung <strong>von</strong> Precursorförderrate und Plasmaparametern über<br />
die Abscheidebedingungen.<br />
Auch die Substrattemperatur ist ein entscheidender Parameter. Bei unzureichenden Substrattemperaturen<br />
weisen die Schichten keine Haftung zum Substrat <strong>auf</strong>. Hohe Substrattemperaturen<br />
ermöglichen <strong>auf</strong> Grund der guten Beweglichkeit <strong>von</strong> Spezies an der Substratoberfläche<br />
das Abscheiden dichter Morphologien, bewirken aber auch eine geringe Keimdichte <strong>auf</strong> dem<br />
Substrat, so dass Poren im Interface zum Substrat gebildet werden können.<br />
Neben Silicium, Stählen, Titan, Kupfer, Messing, Molybdän und Aluminiumlegierungen können<br />
auch Graphit und C / SiC Verbunde beschichtet werden. Im allgemeinen neigen Schichten<br />
<strong>auf</strong> Substraten mit angepasstem thermischen Ausdehnungskoeffizienten weniger zum Abplatzen.<br />
Darüber hinaus ist die Haftfestigkeiten der Schichten <strong>auf</strong> Werkstoffen, die keine Karbide<br />
oder Silizide bilden, besonders gut.<br />
Insgesamt besitzen die TPCVD Prozesse ein hohes Potenzial zur Integration in industrielle<br />
Fertigungsprozesse für die Herstellung verschleiß-, korrosions- und oxidationsbeständiger<br />
<strong>Hartstoffschichten</strong> <strong>auf</strong> der Basis <strong>von</strong> Silicium. Da auch partielle Beschichtungen mit<br />
geringem Aufwand <strong>auf</strong>gebracht werden können, ist das Verfahren auch für Reparaturbeschichtungen<br />
und den partiellen Schutz hochbelasteter Bauteilzonen geeignet. Für Schichten<br />
mit kolumnarem Aufbau sind auch Anwendungen in der Verfahrenstechnik bei Bedarf <strong>von</strong><br />
katalytisch wirkenden Schichten mit extrem großer Oberfläche denkbar.<br />
Zum Erzielen homogener Schichteigenschaften ist eine homogene Substrattemperaturverteilung<br />
und ein konstanter Brennerabstand notwendig. Somit sind die thermischen Plasmajet<br />
CVD Verfahren bislang <strong>auf</strong> vergleichsweise einfache Bauteilgeometrien, wie kleine, flache<br />
Platten oder zylindrische Bauteile, beschränkt. Gelingt es, die Substrattemperatur bspw. durch<br />
eine angepasste Kühlung auch bei komplex geformten Bauteilen konstant zu halten, so steht<br />
bei abgestimmter Brennerbewegung ein universell einsetzbares Beschichtungsverfahren zur<br />
Verfügung.<br />
Die Ergebnisse der durchgeführten Untersuchungen lassen sich <strong>auf</strong> andere Schichtsysteme<br />
übertragen, für die flüssige Precursoren eingesetzt werden können. Der Literatur ist zu entnehmen,<br />
dass Werkstoffe aus dem System Si-B-C-N, die über die Polymerroute hergestellt<br />
wurden, eine wesentlich verbesserte Beständigkeit in hoch sauerstoffhaltigen Atmosphären im<br />
Vergleich zu SiC oder Si3N4 <strong>auf</strong>weisen [But99]. Zur TPCVD Synthese derartiger Schichtsysteme<br />
oder <strong>von</strong> superharten Schichten mit verbesserter thermischer Beständigkeit <strong>auf</strong> Basis