Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...

90
6. Untersuchungsergebnisse
______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Abbildung 39: EDX Spektren von Schichten aus Trimethylchlorsilan (links) und HMDSO
(rechts)
Int.
2000
1000
0
Artefakt
20 30 40 50 60 70 80 90
2Θ [°]
Abbildung 40: Pulverdiffraktogramm einer vom Siliciumwafer abgelösten röntgenamorphen
Schicht aus Trichlormethylsilan
Für den Reflex bei 2θ = 35,3° lässt sich für eine Schicht mit hohem kristallinen Anteil
(Abbildung 42) eine mittlere Kristallitgröße von 5 nm abschätzen. Im Rahmen der untersuchten
Prozessparameter werden keine größeren Kristallite nachgewiesen. Neben Beugungs-
peaks des β-SiC enthält das Diffraktogramm in Abbildung 42 auch einen deutlichen Reflex
bei 2θ = 26,6°, der Graphit (002) oder α-Quarz (110) zugeordnet werden kann. Quarz er-
scheint unwahrscheinlich, da weitere charakteristische Linien fehlen. Dagegen korreliert die
Bildung von Graphit mit dem hohen Überschuss an Kohlenstoff gegenüber Silicium in der
Precursorstruktur.