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Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...

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7. Diskussion<br />

143<br />

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Düse erzwingt eine gewisse Wegstrecke der Precursor Tröpfchen im Plasmastrahl. Auf Grund<br />

der niedrigen Siedetemperatur und der geringen Tröpfchengröße reicht ein Weg <strong>von</strong> 5 mm<br />

aus, um 0,02 l/min <strong>von</strong> Chlormonosilanen oder 0,01 l/min HMDSO zu verdampfen. Beim<br />

Einsatz der Disilanfraktion der Müller-Rochow Synthese und insbesondere beim Einsatz <strong>von</strong><br />

Aminodisilanen sind wesentlich geringere Flussraten erforderlich, wenn ein vollständiges<br />

Verdampfen erzielt werden soll. Prinzipiell lassen sich Flüssigkeiten mit niedrigen<br />

Viskositäten und geringen Siedetemperaturen bei höheren Förderraten verarbeiten.<br />

Bei der HVHF Plasmajet CVD Synthese ist die Precursor Förderrate wegen der axialen<br />

Injektion innerhalb des Brenners in Bezug <strong>auf</strong> ein vollständiges Verdampfen weit weniger<br />

eingeschränkt als beim Einsatz konventioneller DC Plasmabrenner. Allerdings nimmt das<br />

Abscheiden <strong>von</strong> Schichten <strong>auf</strong> der Innenwandung der Überschalldüse bei Förderraten über<br />

0,003 l/min stark zu, so dass der Prozess nicht dauerhaft stabil betrieben werden kann.

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