Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...
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7. Diskussion<br />
143<br />
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Düse erzwingt eine gewisse Wegstrecke der Precursor Tröpfchen im Plasmastrahl. Auf Grund<br />
der niedrigen Siedetemperatur und der geringen Tröpfchengröße reicht ein Weg <strong>von</strong> 5 mm<br />
aus, um 0,02 l/min <strong>von</strong> Chlormonosilanen oder 0,01 l/min HMDSO zu verdampfen. Beim<br />
Einsatz der Disilanfraktion der Müller-Rochow Synthese und insbesondere beim Einsatz <strong>von</strong><br />
Aminodisilanen sind wesentlich geringere Flussraten erforderlich, wenn ein vollständiges<br />
Verdampfen erzielt werden soll. Prinzipiell lassen sich Flüssigkeiten mit niedrigen<br />
Viskositäten und geringen Siedetemperaturen bei höheren Förderraten verarbeiten.<br />
Bei der HVHF Plasmajet CVD Synthese ist die Precursor Förderrate wegen der axialen<br />
Injektion innerhalb des Brenners in Bezug <strong>auf</strong> ein vollständiges Verdampfen weit weniger<br />
eingeschränkt als beim Einsatz konventioneller DC Plasmabrenner. Allerdings nimmt das<br />
Abscheiden <strong>von</strong> Schichten <strong>auf</strong> der Innenwandung der Überschalldüse bei Förderraten über<br />
0,003 l/min stark zu, so dass der Prozess nicht dauerhaft stabil betrieben werden kann.