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Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...

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4. Methodische Vorgehensweise<br />

______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________<br />

Plasmagase und unterschiedlicher Injektionsbedingungen für die Gase können erhebliche<br />

Schwankungen der lokalen Gaszusammensetzung <strong>auf</strong>treten. Ohne Kenntnis der lokalen Gaskomponentenanteile<br />

ist es zweckmäßig <strong>von</strong> der mittleren Zusammensetzung aller Prozessgase<br />

auszugehen, um Temperatur- und Geschwindigkeitsprofile ableiten zu können.<br />

Zur Bestimmung der lokalen Gasgeschwindigkeit des Plasmas dient die Bernoulli Gleichung<br />

(Gl. 11) unter der Annahme, dass es sich bei dem Plasma um eine inkompressible Strömung<br />

handelt und die Gasgeschwindigkeit geringer als 40% der Schallgeschwindigkeit ist.<br />

v = 2 ⋅ p / ρ(<br />

T )<br />

(Gl. 11)<br />

dyn.<br />

mit: v : Lokale Geschwindigkeit des Plasmagases am Sondeneintritt<br />

p dyn.<br />

: Dynamischer Druck des Plasmagases<br />

ρ : Dichte des Plasmagases<br />

Der dynamische Druck des Plasmagases ergibt sich aus der Differenz des Staudrucks, der bei<br />

geschlossenem Sondenventil gemessen wird, und dem Umgebungsdruck in der Reaktorkammer<br />

unter Annahme eines konstanten statischen Drucks im Reaktor. Die Dichte des Plasmagases<br />

ist als Funktion der chemischen Zusammensetzung, des Drucks und der Temperatur<br />

Tabellenwerken zu entnehmen. Für den Druck im Plasmastrahl wird wiederum der Kammerdruck<br />

zugrunde gelegt.<br />

4.5 Schichtcharakterisierung<br />

Die Schichten werden in Bezug <strong>auf</strong> ihre Morphologie und Struktur untersucht. Die Charakterisierung<br />

der Morphologie erfolgt mittels REM an Querschliffen und Bruchflächen der<br />

hergestellten Schichten. EDX Analysen sind für eine quantitative Analyse <strong>von</strong> Elementen, die<br />

leichter als Fluor sind, nicht geeignet. Dennoch erlaubt das Kalibrieren des Siliciumpeaks <strong>auf</strong><br />

die Höhe des Peaks eines unbeschichteten Siliciumwafers qualitative Aussagen über die<br />

Schichtzusammensetzung.<br />

Die Charakterisierung der Kristallstruktur erfolgt mittels XRD. Diese Analysen erlauben unter<br />

Berücksichtigung der gerätebedingten Reflexverbreiterung ein Abschätzen der Kristallitgröße<br />

aus der Halbhöhenbreite der Beugungspeaks mit Hilfe der Scherrer Formel (Gl. 12). Für<br />

Korngrößen unter 0,1 µm liefert diese Methode zuverlässige Ergebnisse mit guter Genauigkeit.

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