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Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...

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6. Untersuchungsergebnisse<br />

89<br />

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Chlor enthält. Schließlich kann der Sauerstoffnachweis auch <strong>auf</strong> die Adsorption <strong>von</strong> Wasser<br />

zurückzuführen sein, was <strong>von</strong> der Synthese feiner SiC Pulver bereits bekannt ist [Zhu93]. Die<br />

geringe Intensität des Sauerstoffpeaks im EDX Spektrum <strong>von</strong> Schichten aus HMDSO gegenüber<br />

Schichten aus chlorhaltigen Ausgangsstoffen deutet <strong>auf</strong> eine untergeordnete Bedeutung<br />

des Sauerstoffs aus der Precursorstruktur hin. Da die Substratkühlung ein rasches Abkühlen<br />

der Schichten bewirkt, sind thermisch bedingte Postprozessreaktionen auszuschließen. An der<br />

Schichtoberfläche werden häufig höhere Sauerstoffgehalte als in der Nähe zum Interface mit<br />

dem Substrat nachgewiesen, so dass Leckagen und dem verbliebenen Sauerstoffpartialdruck<br />

in der Reaktorkammer eine untergeordnete Bedeutung beizumessen ist. Somit erscheinen<br />

Reaktionen reaktiver Funktionen in der Schichtstruktur und Wasserabsorption die wesentlichen<br />

Gründe für das Detektieren <strong>von</strong> Sauerstoff zu sein.<br />

C O<br />

Si<br />

P = 14,5 kW<br />

d = 100 mm<br />

Precursor: Trimethylchlorsilan<br />

Cl<br />

1 2 3 4 5 keV<br />

Abbildung 38: EDX Spektren aus unterschiedlichen Tiefen einer Schicht aus Trimethylchlorsilan;<br />

schwarz: Schichtoberfläche, grau: Schicht in Substratnähe<br />

Die Schichten weisen hauptsächlich zwei unterschiedliche Strukturen <strong>auf</strong>. Einerseits lassen<br />

sich aus allen chlorhaltigen wie chlorfreien Precursoren röntgenamorphe Schichten herstellen,<br />

was durch einen breiten Bereich erhöhter Intensität bei niedrigen Beugungswinkeln im XRD<br />

Diffraktogramm ersichtlich ist (Abbildung 40). Andererseits werden Schichten mit<br />

kristallinen Anteilen synthetisiert. Die am häufigsten eindeutig nachgewiesene kristalline<br />

Phase ist β-SiC. In Abbildung 41 ist das Diffraktogramm einer teilkristallinen Schicht aus<br />

Trimethylchlorsilan <strong>auf</strong> einem Siliciumwafer mit dem zugehörigen theoretischen<br />

Beugungsmuster dargestellt. Die starke Verbreiterung des Beugungspeaks bei 2θ = 35,3°, der<br />

dem (111) Reflex <strong>von</strong> β-SiC (3C) entspricht, weist <strong>auf</strong> eine sehr geringe Kristallitgröße hin.

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