Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...
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6. Untersuchungsergebnisse<br />
89<br />
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Chlor enthält. Schließlich kann der Sauerstoffnachweis auch <strong>auf</strong> die Adsorption <strong>von</strong> Wasser<br />
zurückzuführen sein, was <strong>von</strong> der Synthese feiner SiC Pulver bereits bekannt ist [Zhu93]. Die<br />
geringe Intensität des Sauerstoffpeaks im EDX Spektrum <strong>von</strong> Schichten aus HMDSO gegenüber<br />
Schichten aus chlorhaltigen Ausgangsstoffen deutet <strong>auf</strong> eine untergeordnete Bedeutung<br />
des Sauerstoffs aus der Precursorstruktur hin. Da die Substratkühlung ein rasches Abkühlen<br />
der Schichten bewirkt, sind thermisch bedingte Postprozessreaktionen auszuschließen. An der<br />
Schichtoberfläche werden häufig höhere Sauerstoffgehalte als in der Nähe zum Interface mit<br />
dem Substrat nachgewiesen, so dass Leckagen und dem verbliebenen Sauerstoffpartialdruck<br />
in der Reaktorkammer eine untergeordnete Bedeutung beizumessen ist. Somit erscheinen<br />
Reaktionen reaktiver Funktionen in der Schichtstruktur und Wasserabsorption die wesentlichen<br />
Gründe für das Detektieren <strong>von</strong> Sauerstoff zu sein.<br />
C O<br />
Si<br />
P = 14,5 kW<br />
d = 100 mm<br />
Precursor: Trimethylchlorsilan<br />
Cl<br />
1 2 3 4 5 keV<br />
Abbildung 38: EDX Spektren aus unterschiedlichen Tiefen einer Schicht aus Trimethylchlorsilan;<br />
schwarz: Schichtoberfläche, grau: Schicht in Substratnähe<br />
Die Schichten weisen hauptsächlich zwei unterschiedliche Strukturen <strong>auf</strong>. Einerseits lassen<br />
sich aus allen chlorhaltigen wie chlorfreien Precursoren röntgenamorphe Schichten herstellen,<br />
was durch einen breiten Bereich erhöhter Intensität bei niedrigen Beugungswinkeln im XRD<br />
Diffraktogramm ersichtlich ist (Abbildung 40). Andererseits werden Schichten mit<br />
kristallinen Anteilen synthetisiert. Die am häufigsten eindeutig nachgewiesene kristalline<br />
Phase ist β-SiC. In Abbildung 41 ist das Diffraktogramm einer teilkristallinen Schicht aus<br />
Trimethylchlorsilan <strong>auf</strong> einem Siliciumwafer mit dem zugehörigen theoretischen<br />
Beugungsmuster dargestellt. Die starke Verbreiterung des Beugungspeaks bei 2θ = 35,3°, der<br />
dem (111) Reflex <strong>von</strong> β-SiC (3C) entspricht, weist <strong>auf</strong> eine sehr geringe Kristallitgröße hin.