Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...
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5. Versuchsdurchführung<br />
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5. Versuchsdurchführung<br />
5.1 DC Plasmajet CVD<br />
5.1.1 Prozessführung<br />
Bei der Schichtsynthese mit einem konventionellen Gleichstromplasma kommt eine Vakuumplasmaspritzanlage<br />
A 3000 S der Firma Plasmatechnik mit F4 Sulzer Metco Brenner zum<br />
Einsatz. Eine schematische Darstellung des Versuchs<strong>auf</strong>baus zur Schichtsynthese mit in-situ<br />
Charakterisierung durch Emissionsspektroskopie ist in Abbildung 17 dargestellt.<br />
Kühlwasser<br />
Vakuumpumpen s<br />
Precursor<br />
Kollimator<br />
Ar<br />
Substrathalter<br />
x<br />
Auswertungseinheit<br />
O (AO<br />
z<br />
y<br />
optische Faser<br />
Spektrometer)<br />
Abbildung 17: Prinzipdarstellung der Versuchseinrichtung zur Schichtsynthese aus flüssigen<br />
Precursoren mittels eines konventionellen DC Plasmabrenners<br />
Reaktionen der Precursoren mit der Umgebung werden durch das Fördern mittels einer<br />
peristaltischen Pumpe vermieden. Beim Einsatz chlorhaltiger SiC Precursoren erweist sich<br />
allein Viton als beständiges Walkschlauchmaterial. Zur Reinigung der Schläuche, insbesondere<br />
um ein Verstopfen durch Ablagerungen fester Reaktionsprodukte <strong>von</strong> Rückständen des<br />
Ausgangsstoffes zu vermeiden, wird Toluol eingesetzt. Das Spülen des Förderstrangs erfolgt<br />
unmittelbar im Anschluss an die Synthese. Über eine zusätzliche Gasleitung zu den Vorratsbehältern<br />
der Precursoren und des Toluols wird ein Druckausgleich mittels Argon realisiert<br />
(Abbildung 18).
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