Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis - Qucosa ...

6. Untersuchungsergebnisse
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bewegt werden. Die Relativbewegung von Brenner und Substrat erlaubt das Beschichten von
im Vergleich zum Wirkdurchmesser des Plasmastrahls großen Flächen. Beim Abfahren eines
Quadrats mit einer Kantenlänge von 10 mm werden Flächen mit einem Durchmesser von
40 mm beschichtet.
Precursor: HMDSO Precursor: Hexamethylcyclotrisilazan
V´Ar = 50 l/min V´Prec. = 0,0005 l/min V´Ar = 50 l/min V´Prec. = 0,0005 l/min
P = 11 kW dSub = 60 mm P = 14,2 kW dSub = 70 mm
Substrat: C/SiC V´Zerst.,Ar = 3 l/min Substrat: C/SiC V´Zerst.,Ar = 3 l/min
Abbildung 36: Lichtmikroskopische Aufnahme der Aufsicht auf Schichtschäden beim Einsatz
von C/SiC Substraten
Der Einsatz von Wasserstoff als sekundäres Plasmagas wirkt sich in einer weniger geschlossenen
Beschichtung als beim Einsatz reinen Argons aus (Abbildung 37). Auf den einzelnen
Fasern wächst die Schicht fein kolumnar mit relativ großen Spalten auf. Die Depositionsrate
beträgt ca. 400 µm/h.
Die Oberfläche unbeschichteter und unbearbeiteter C/SiC Verbunde ist so rau, dass diese
Oberfläche nicht gleichmäßig und flächendeckend beschichtet wird. An Hinterschneidungen
kann teilweise keine Schicht nachgewiesen werden. Das Herausbrechen von Schichtstücken
geschieht bevorzugt in stark zerklüfteten Oberflächenbereichen. Analog ist die Beständigkeit
gegen mechanische Beanspruchung auf geschliffenen wesentlich höher als auf unbearbeiteten
Substraten.