Bulletin 2009/07 - European Patent Office
13.12.2012 • Views
Share Embed Flag

Bulletin 2009/07 - European Patent Office

Bulletin 2009/07 - European Patent Office

Bulletin 2009/07 - European Patent Office

SHOW MORE
SHOW LESS
ePAPER READ
DOWNLOAD ePAPER
application.epo.org

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

START NOW

(H01J) II.1(1)<br />

(51) H01J 61/<strong>07</strong>3 (11) 1 439 567 B1<br />

H01J 61/067<br />

(25) De (26) De<br />

(21) 03029105.8 (22) 17.12.2003<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK<br />

TR<br />

(43) 21.<strong>07</strong>.2004<br />

(30) 16.01.2003 DE 10301478<br />

(54) • Elektrode für eine Hochdruckentladungslampe<br />

• Electrode for high pressure discharge lamp<br />

• Electrode pour lampe à décharge à haute<br />

pression<br />

(73) <strong>Patent</strong>-Treuhand-Gesellschaft für elektrische<br />

Glühlampen mbH, Hellabrunner Strasse 1,<br />

81543 München, DE<br />

(72) Gilles, Jörg Alexander, 12157 Berlin, DE<br />

H01J 61/36 → (51) H01J 5/38<br />

(51) H01J 65/00 (11) 0 968 521 B1<br />

H01J 5/46 H01J 5/02<br />

(25) De (26) De<br />

(21) 98925419.8 (22) 20.03.1998<br />

(84) BE CH DE DK ES FI FR GB IT LI NL SE<br />

(43) 05.01.2000<br />

(86) DE 1998/000828 20.03.1998<br />

(87) WO 1998/043280 1998/39 01.10.1998<br />

(30) 21.03.1997 DE 19711891<br />

08.<strong>07</strong>.1997 DE 19729175<br />

(54) • FLACHSTRAHLER MIT DIELEKTRISCH<br />

BEHINDERTER ENTLADUNG UND<br />

ANORDNUNG ZUR DURCHFÜHRUNG DER<br />

ELEKTRODEN IN DEN ENTLADUNGS-<br />

RAUM<br />

• FLAT SPOTLIGHT WITH DISCHARGE<br />

SEPARATED BY A DIELECTRIC LAYER<br />

AND DEVICE FOR THE ELECTRODES INTO<br />

THE LEADING DISCHARGE AREA<br />

• SPOT PLAT A DECHARGE SEPAREE PAR<br />

UNE COUCHE DIELECTRIQUE ET DISPO-<br />

SITIF DESTINE AU PASSAGE DES ELEC-<br />

TRODES DANS L'ESPACE DE DECHARGE<br />

(73) <strong>Patent</strong>-Treuhand-Gesellschaft für elektrische<br />

Glühlampen mbH, Hellabrunner Strasse 1,<br />

81543 München, DE<br />

(72) VOLLKOMMER, Frank, D-82131 Buchendorf,<br />

DE<br />

HITZSCHKE, Lothar, D-81737 München, DE<br />

(51) H01L 21/00 (11) 1 791 162 B1<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 06124389.5 (22) 20.11.2006<br />

(84) DE FR GB IT NL<br />

(43) 30.05.20<strong>07</strong><br />

(30) 25.11.2005 JP 2005340145<br />

(54) • Eine Chipvereinzelungs-Folienanbringungseinheit<br />

• Dicing tape attaching apparatus<br />

• Un appareil pour attacher un ruban pour<br />

produire de dés semi-conducteurs<br />

(73) TOKYO SEIMITSU CO., LTD., 7-1, Shimorenjaku<br />

9-chome, Mitaka-shi Tokyo, JP<br />

(72) Ametani, Minoru, Mitaka-shi Tokyo, JP<br />

(74) Skone James, Robert Edmund, Gill Jennings<br />

& Every LLP Broadgate House 7 Eldon<br />

Street, London EC2M 7LH, GB<br />

(51) H01L 21/00 (11) 1 950 791 B1<br />

H01L 21/66<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 08156368.6 (22) 24.06.2005<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HU IE IS IT LI LT LU MC NL PL PT RO SE<br />

SI SK TR<br />

(43) 30.<strong>07</strong>.2008<br />

(30) 24.06.2004 US 582741 P<br />

08.12.2004 US 634190 P<br />

Europäisches <strong>Patent</strong>blatt<br />

<strong>European</strong> <strong>Patent</strong> <strong>Bulletin</strong><br />

<strong>Bulletin</strong> européen des brevets<br />

(54) • Bonding Maschine um Transponder zu<br />

befestigen und Verfahren<br />

• Bonding machine for applying transponders<br />

and method<br />

• Machine à connecter des transpondeurs et<br />

procédé<br />

(73) Checkpoint Systems, Inc., 101 Wolf Drive,<br />

Thorofare, NJ 08086, US<br />

(72) Eckstein, Eric, Merion Station, PA 19066, US<br />

Clare, Thomas, Media, PA 19063, US<br />

Cote, Andre, Williamstown, NJ 08094, US<br />

(74) Menges, Rolf, Ackmann, Menges & Demski<br />

<strong>Patent</strong>- und Rechtsanwälte Erhardtstrasse<br />

12, 80469 München, DE<br />

(62) 05764304.1 / 1 774 573<br />

(51) H01L 21/304 (11) 1 859 479 B1<br />

B24C 1/00<br />

(25) De (26) De<br />

(21) 06723328.8 (22) 09.03.2006<br />

(84) DE ES IT<br />

(43) 28.11.20<strong>07</strong><br />

(86) EP 2006/002193 09.03.2006<br />

(87) WO 2006/097241 2006/38 21.09.2006<br />

(30) 16.03.2005 DE 102005012490<br />

25.01.2006 DE 102006003604<br />

(54) • VERAHREN ZUR MIKROSTRUKTURIE-<br />

RUNG VON FESTKÖRPEROBERFLÄCHEN<br />

• METHOD FOR MICROSTRUCTURING<br />

SOLID SURFACES<br />

• PROCEDE POUR MICROSTRUCTURER<br />

DES SURFACES DE SOLIDES<br />

(73) Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der<br />

angewandten Forschung e.V., Hansastrasse<br />

27c, 80686 München, DE<br />

Johann Wolfgang Goethe-Universität Frankfurt<br />

am Main, Senckenberganlage 31, 60325<br />

Frankfurt am Main, DE<br />

(72) MAYER, Kuno, 79114 Freiburg, DE<br />

KRAY, Daniel, 79112 Freiburg, DE<br />

KOLBESEN, Bernd, O., 61350 Bad Homburg,<br />

DE<br />

HOPMAN, Sybille, 77972 Mahlberg, DE<br />

(74) Riepe, Hans-Gerd, et al, Pfenning, Meinig &<br />

Partner GbR <strong>Patent</strong>- und Rechtsanwälte<br />

Theresienhöhe 13, D-80339 München, DE<br />

H01L 21/316 → (51) C23C 16/40<br />

H01L 21/336 → (51) H01L 29/78<br />

H01L 21/56 → (51) H01L 23/42<br />

H01L 21/60 → (51) H01L 23/42<br />

H01L 21/66 → (51) H01L 21/00<br />

(51) H01L 21/8234 (11) 0 975 020 B1<br />

H01L 21/8239 H01L 27/105<br />

(25) It (26) En<br />

(21) 98120033.0 (22) 22.10.1998<br />

(84) DE FR GB IT<br />

(43) 26.01.2000<br />

(30) 22.<strong>07</strong>.1998 EP 98830443<br />

(54) • Herstellungsverfahren für elektronische<br />

Bauelemente und entsprechende Bauelemente,<br />

die Hoch- und Niederspannungstransistoren<br />

mit selbstjustierten<br />

Silizidübergängen beinhalten<br />

• Method for manufacturing electronic<br />

devices and corresponding devices comprising<br />

HV transistors and LV transistors<br />

with salicided junctions<br />

• Procédé de fabrication de dispositifs électroniques<br />

et dispositifs correspondants<br />

comprenant des transistors à haute et<br />

basse tension avec des jonctions en<br />

siliciure auto-alignées<br />

582<br />

<strong>Patent</strong>e<br />

<strong>Patent</strong>s<br />

Brevets (<strong>07</strong>/<strong>2009</strong>) 11.02.<strong>2009</strong><br />

(73) STMicroelectronics S.r.l., Via C. Olivetti, 2,<br />

20041 Agrate Brianza (Milano), IT<br />

(72) Patelmo, Matteo, 20044 Bernareggio, IT<br />

Galbiati, Nadia, 20038 Seregno, IT<br />

Dalla Libera, Giovanna, 20052 Monza, IT<br />

Vajana, Bruno, 24100 Bergamo, IT<br />

(74) Kraus, Jürgen Helmut, Leinweber & Zimmermann<br />

Rosental 7, 80331 München, DE<br />

H01L 21/8239 → (51) H01L 21/8234<br />

H01L 21/8247 → (51) H01L 29/788<br />

(51) H01L 23/31 (11) 1 837 908 B1<br />

(25) De (26) De<br />

(21) <strong>07</strong>005338.4 (22) 15.03.20<strong>07</strong><br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL PL PT<br />

RO SE SI SK TR<br />

(43) 26.09.20<strong>07</strong><br />

(30) 22.03.2006 DE 102006013<strong>07</strong>7<br />

(54) • Leistungshalbleiterbauelement mit Sekundärpassivierungsschicht<br />

und zugehöriges<br />

Herstellungsverfahren<br />

• High performance semiconductor component<br />

with secondary passivation layer and<br />

associated method of manufacture<br />

• Dispositif à semi-conducteur de puissance<br />

doté d'une couche de passivation secondaire<br />

et procédé de fabrication correspondant<br />

(73) SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG,<br />

Sigmundstrasse 200, 90431 Nürnberg, DE<br />

(72) Simic, Dejan, 90579 Langenzenn, DE<br />

König, Bernhard Dr., 9<strong>07</strong>65 Fürth, DE<br />

H01L 23/36 → (51) H01L 25/<strong>07</strong><br />

H01L 23/373 → (51) H01L 25/<strong>07</strong><br />

(51) H01L 23/42 (11) 0 962 975 B1<br />

H01L 23/495 H01L 21/56<br />

H01L 21/60<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 99110093.4 (22) 22.05.1999<br />

(84) DE FR GB IT NL<br />

(43) 08.12.1999<br />

(30) 02.06.1998 US 89310<br />

(54) • Leistungs-MOSFET-Verpackung mit direkt<br />

angeschlossenen Leitern<br />

• Power MOSFET package with directly<br />

connected leads<br />

• Empaquetage de MOSFET de puissance<br />

avec des broches à connexion directe<br />

(73) SILICONIX Incorporated, 2201 Laurelwood<br />

Road, Santa Clara, California 95056, US<br />

(72) Kasem, Y. Mohammed, Santa Clara, CA<br />

95054, US<br />

Tsui, Anthony C., Saratoga,CA 95<strong>07</strong>0, US<br />

Luo, Lixiong, San Jose, CA 95129, US<br />

Ho, Yueh-Se, Sunnyvale, CA 94086, US<br />

(74) Ebner von Eschenbach, Jennifer, Ladas &<br />

Parry LLP Dachauerstrasse 37, 80335<br />

München, DE<br />

(51) H01L 23/427 (11) 1 381 083 B1<br />

H05K 7/20 H01Q 1/02<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 03254283.9 (22) 05.<strong>07</strong>.2003<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK<br />

TR<br />

(43) 14.01.2004<br />

(30) 11.<strong>07</strong>.2002 US 193571<br />

(54) • Vorrichtung zur Kühlung eines Bauteiles<br />

• Apparatus for removing heat from a circuit<br />

• Dispositif pour refroidir un composant<br />

(73) RAYTHEON COMPANY, 141 Spring Street,<br />

Lexington, Massachusetts 02421, US

logo

products

Resources

Company

Terms of service
Privacy policy
Cookie policy
Cookie settings
Imprint
Change language
Made with love in Switzerland
© 2024 Yumpu.com all rights reserved

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!