2. Wirkungsquerschnitte und Streulängen - Liss, Klaus-Dieter

114 AUSBLICK9. AusblickObwohl die gegenwärtigen Ergebnisse vielversprechend sind, können die Si 1-x Ge x Gradientenkristallenoch nicht am Fließband produziert werden. Der Wachstumsprozeß ist sehrkritisch auf geringfügige Veränderungen der Zuchtparameter und sollte noch mit Hinblick aufdie Gasströmungsverhältnisse und Sauberkeit des eingebrachten Substrats verbessert werden.Zudem können kostengünstigere Flüssigquellen als Grundlage für die Epitaxiematerialienzum Einsatz kommen.Um optimale Reflektionseigenschaften zu erlangen, müssen Kristalle mit großen Gitteraufweitungenwesentlich mehr Streuvolumen anbieten. Dicken bis in den Zentimeterbereichwären wünschenswert, damit die Intensitätsgewinne den Größenordnungen oben genannterGitteraufweitungen gleich kommen. Dabei scheint es günstiger, von einem Germaniumsubstrataus zu wachsen, da dieses Element eine größere Streukraft als Silizium besitzt und somitkleinere Dicken ausreichten. Außerdem sollten andere Systeme, wie Si 1-x C x oder das bereitsbekannte Cu 1-x Ge x für diese Epitaxiemethode ins Auge gefaßt werden.Die theoretischen Ergebnisse können noch in Hinblick verschiedener Einzelheiten ausgemessenwerden. Eine Beobachtung der Plateauoszillationen kann an hochindizierten Reflexensehr steiler Gradienten oder stark gekrümmten, idealen Kristallen durchgeführt werden. Dazuwird die ständig verbesserte Auflösung von Dreikristalldiffraktometern an Synchrotronstrahlungsquelleneine wesentliche Hilfe sein. Aus der Feinstruktur von Reflektionskurven lassensich die Details der Streuvektorverteilungen erkennen. Nicht zuletzt kann die Transfermatrizenmethodezur Beschreibung komplizierter Schichtenstrukturen der Halbleiterindustrieerweitert werden und in der Auswertung der zerstörungsfreien Materialanalyse Einzug finden.