2. Wirkungsquerschnitte und Streulängen - Liss, Klaus-Dieter

66 DER NEUE OFENAbbildung (40):Blick in den Reaktionsofen bei heruntergenommenem Deckel undGasführungssystem. Die dunkle Scheibe im Zentrum ist dasSiliziumsubstrat auf der Quarzplatte.wird. Sie wird von unten durch ein schlangenförmig gestaltetes Graphitband geheizt. Umeinen ungewollten Niederschlag zu vermeiden, liegt das Heizelement in einer Vertiefung ausgepreßter Aluminiumoxidkeramikwolle, die nach oben hin direkt durch die Quarzplatte abgedecktwird. Die Stromzufuhr wird durch, von innen bis unter die Keramik wassergekühlteLeitungen gewährleistet. Die Isolation zu den Gasströmungen muß mit besonderer Sorgfaltvorgenommen werden, da einerseits das Graphitband durch ein ungewolltes Depot sehrspröde wird und andererseits Silizium bei den Prozeßtemperaturen metallisch leitend wird undsomit Kurzschlüsse verursacht.Die Temperatur wird durch ein Thermoelement unter der Quarzglasscheibe bestimmt undgeregelt. Zur Versorgung des Heizelements steht ein mit einem Temperaturregelkreis versehenesNetzteil von 75 A und 110 V zur Verfügung.5.2.2.2.1. Das HeizelementDie relativ hohe Prozeßtemperatur in der Silanatmosphäre fordert besondere Ansprüche andas Heizelement, zumal sich, wie erwähnt, bei ungenügender Isolation millimeterdicke Siliziumniederschlägebilden können, die schon bei einem Bruchteil dieser Stärke zu elektrischenKurzschlüssen führen können. Da seine Lebensdauer daher nicht abschätzbar war, wurde vonvornherein ausgeschlossen, teure, industrielle Heizelemente für Epitaxieanlagen anzuschaf-