2. Wirkungsquerschnitte und Streulängen - Liss, Klaus-Dieter

84 ELEKTRONENMIKROSKOPIE UND MIKROSONDENANALYSELäßt man nun den Elektronenstrahllangsam über den Pro-Si–K αbenquerschnitt wandern undtaktet die Analyse in zeitlicheIntervalle, so erhält man dieKonzentration in Abhängigkeitdes Ortes. Eine derartige Meßkurveist, jedoch um 10 µmnach rechts verschoben, der Mikrographiein Abbildung (65)überlagert.Intensität [relative Einheiten]1010.1Ge–L αAu–M αAu–L αGe–K αDie Ortsauflösung wird, obwohleine feinere Fokussierung möglichist, auf etwa 1 µm beschränkt,da durchVielfachstreuung derElektronen in der Probe einVolumen entsprechenden Durchmessers ausgeleuchtet wird.024 6 8Röntgenenergie [keV]Abbildung (66):Charakteristisches Röntgenspektrum bei der Mikrosondenanalysevon Si 1-x Ge x Kristallen. Die Goldlinien rühren voneiner Bedampfung der Oberfläche zugunsten ihrer Leitfähigkeither.106.3.2. MikrosondenergebnisseEinige der wichtigsten und typischen Resultate der Mikrosondenanalyse sind in Abbildung(67) zu sehen. Die beiden oberen Messungen wurden an der Universität Bochumdurchgeführt, die restlichen, mit wesentlich besserer Statistik, sind an der UniversitätGrenoble in Auftrag gegangen.In der linken Spalte sind die Konzentrationsprofile einiger Stufenkristalle, rechts die vonGradientenkristallen gezeigt. Die sprunghaften Anstiege bei 78 A und 82 A im Bereich derinstrumentellen Auflösung von 1 µm bis 2 µm sowie die linear ansteigenden Profile derGradientenkristalle selbst über große Dicken hinweg zeugen von der perfekt beherrschbarenZusammensetzung im Festkörper. Insbesonders an den Stufenkristallen ersichtlich, tritt keinemeßbare Interdiffusion benachbarter Schichten auf.Zusammen mit den Gasmischungsanteilen aus Tabelle (7) kann man dasKonzentrationsverhältnisγ = x festx gas(211)