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Physik - Kaleidoskop

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Leuchtdiode 285<br />

Geschichte<br />

Am Anfang der Entwicklung von Halbleitern stand eine<br />

wissenschaftliche Entdeckung, die lange ignoriert wurde. 1876 hielt<br />

Ferdinand Braun einen Vortrag über Stromleitung durch Kristalle. Er<br />

schildert seine Versuche, bei denen er eine Metallspitze auf einen<br />

Sulfidkristall presste und herausfand, dass der Kristall in einer<br />

Richtung gut leitet und zwar umso besser, je höher der Strom ist – in<br />

die andere Richtung fließt hingegen nur wenig Strom. Da man damals<br />

nur ohmsche Leiter und Isolatoren kannte, passte dieser<br />

Gleichricht(er)effekt nicht in die damals bekannten Eigenschaften der<br />

Materie und es dauerte fast 60 Jahre, bis eine Erklärung dieser<br />

besonderen Merkmale gefunden werden konnte. [8] Henry Joseph<br />

Round (1881–1966) beobachtete 1907 erstmals, dass anorganische<br />

Stoffe unter dem Einfluss einer angelegten Spannung zu einer<br />

Lichtemission fähig sind. [9] 1921 entdeckte der russische <strong>Physik</strong>er<br />

Oleg Lossew den Round-Effekt erneut und untersuchte ihn 1927 bis<br />

1942 genauer, da er vermutete, dass das Phänomen als Umkehrung des<br />

Einsteinschen, photoelektrischen Effektes zu deuten ist. Georges<br />

Destriau entdeckte 1935 an Zinksulfid ein ähnliches Leuchtphänomen<br />

und bezeichnete es nach dem russischen <strong>Physik</strong>er als Lossew-Licht.<br />

In der Folgezeit konnte ab 1951 durch die Entwicklung des Transistors<br />

ein wissenschaftlicher Fortschritt in der Halbleiterphysik erreicht<br />

werden. Weiter war es möglich, den Prozess der Lichtemission<br />

aufzuklären. Zunächst wurde allerdings weiter mit Zinksulfid<br />

experimentiert. Erfolgreicher waren jedoch die Forschungen an den als<br />

Halbleiter erkannten III-V-Verbindungshalbleitern. Ab 1957<br />

konzentrierte man sich bei der Erforschung der Lichterzeugung ganz<br />

Nachbildung des Experiments von H. J. Round.<br />

Eine negativ geladene Nadelspitze auf<br />

Siliziumkarbid erzeugt einen grün glimmenden<br />

Leuchtdiodenübergang.<br />

Entwicklung des maximalen Lichtstroms<br />

kommerziell erhältlicher LEDs. Die Skala ist<br />

logarithmisch und die Gerade entspricht daher<br />

einem exponentiellen Anstieg.<br />

auf die Halbleiter. Besonders die Lichtemission im sichtbaren Bereich auf der Basis von Galliumarsenid (GaAs) und<br />

Galliumphosphid (GaP) war von Bedeutung.<br />

Andere Quellen schreiben die Erfindung der Leuchtdiode allerdings Nick Holonyak zu und datieren sie auf 1962. [10]<br />

Im Laufe der Entwicklung, seit den ersten LEDs 1962, wurde die Lichtausbeute um ungefähr drei Größenordnungen<br />

von unter 0,1 Lumen/Watt auf über 100 Lumen/Watt gesteigert. Diese überwiegend in großen Sprüngen<br />

stattgefundenen Entwicklungsschritte beruhen außer auf der immer besseren Qualität der Halbleiterschichten<br />

(geringere Defektdichten, weniger Verunreinigungen) auf dem Einsatz von Halbleiterheterostrukturen,<br />

niederdimensionalen Strukturen (Quantentöpfe), transparenten Substraten und der verbesserten Lichtauskopplung.<br />

Ausgehend von GaAs/AlAs (1960er Jahre, rot-gelb), wurden neue Halbleitermaterialien wie GaP (1970er Jahre,<br />

grüne LEDs) und GaN (1980er/1990er Jahre, grün bis UV) entwickelt, so dass es heute LEDs in nahezu allen Farben<br />

des Spektrums (bis auf eine Lücke im grün-gelb-Bereich) gibt. Insbesondere nach Halbleitern, die Licht im<br />

kurzwelligen Bereich (blau, UV) effizient erzeugen, wurde lange gesucht. Hauptproblem war lange Zeit das Dotieren<br />

eines p-leitenden Bereichs von geeigneten breitlückigen Halbleitern, das erstmals 1988 bei GaN der Gruppe von<br />

Akasaki in Japan gelang, dann 1992 auch Shuji Nakamura mit einem anderen Ansatz. Letzterer führte zur ersten<br />

kommerziellen blauen LED auf GaN-Basis, die, inzwischen erweitert um weiße und grüne LEDs sowie blaue Laser,<br />

seit 1993 von Nichia vertrieben werden. Bis dahin basierten blaue LEDs auf dem Material Siliziumkarbid, das als<br />

indirekter Halbleiter für effiziente Lichtemission schlecht geeignet ist.

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