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Tarif complet - Agence des services frontaliers du Canada

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85 - 72<br />

Numéro<br />

tarifaire<br />

Émis 1 janvier 2011<br />

49 - - - - - -Autres................................................................................................... NMB<br />

90 - - - - -Autres ..................................................................................................... NMB<br />

8542.31.90 00 - - -Autres - En fr. TPAC, TPMD, TPG,<br />

TÉU, TM, TMÉU, TACI,<br />

TC, TCR, TI, TN, TSL,<br />

TP : En fr.<br />

8542.32 - -Mémoires<br />

TARIF DES DOUANES - ANNEXE<br />

SS Dénomination <strong>des</strong> marchandises<br />

Unité<br />

de mes.<br />

<strong>Tarif</strong> de la<br />

N.P.F.<br />

<strong>Tarif</strong> de préférence<br />

applicable<br />

8542.32.10 - - -Circuits intégrés monolithiques En fr. TPAC, TPMD, TPG,<br />

TÉU, TM, TMÉU, TACI,<br />

TC, TCR, TI, TN, TSL,<br />

TP : En fr.<br />

- - - - -Numériques, pour puces, rondelles ou tranches, non montées, de<br />

silicium :<br />

11 - - - - - -Semi-con<strong>du</strong>cteurs à oxyde métallique (technologie MOS) .................. NMB<br />

12 - - - - - -Circuits obtenus par technologie bipolaire ........................................... NMB<br />

19 - - - - - -Autres, y compris les circuits obtenus par l'association <strong>des</strong><br />

technologies MOS et bipolaire (technologie BiMOS) ........................... NMB<br />

- - - - -Numériques, pour puces, rondelles ou tranches, non montées, autres<br />

que de silicium :<br />

21 - - - - - -Semi-con<strong>du</strong>cteurs à oxyde métallique (technologie MOS) .................. NMB<br />

22 - - - - - -Circuits obtenus par technologie bipolaire ........................................... NMB<br />

29 - - - - - -Autres, y compris les circuits obtenus par l'association <strong>des</strong><br />

technologies MOS et bipolaire (technologie BiMOS) ........................... NMB<br />

- - - - -Numériques, pour semi-con<strong>du</strong>cteurs (technologie MOS) en métaloxyde<br />

de silicium, montés, mémoire non-permanente :<br />

31 - - - - - -Mémoire vive lecture/écriture (DRAM), dynamique, n'excédant pas<br />

1 megabit .................................................................................. NMB<br />

32 - - - - - -Mémoire vive lecture/écriture (DRAM), dynamique, excédant<br />

1 megabit .................................................................................. NMB<br />

33 - - - - - -Mémoire vive lecture/écriture (SRAM), statique, n'excédant pas<br />

256 kilobits ............................................................................... NMB<br />

34 - - - - - -Mémoire vive lecture/écriture (SRAM), statique, excédant 256 kilobits NMB<br />

- - - - -Numériques, pour semi-con<strong>du</strong>cteurs (technologie MOS) en métaloxyde<br />

de silicium, montés, mémoire permanente :<br />

41 - - - - - -Mémoire de lecture seulement, effaçable et programmable<br />

électriquement...................................................................................... NMB<br />

42 - - - - - -Mémoire de lecture seulement, effaçable et programmable autre<br />

qu'électriquement ................................................................................. NMB<br />

49 - - - - - -Autres................................................................................................... NMB<br />

- - - - -Numériques, pour circuits de silicium, montés, obtenus par technologie<br />

bipolaire :<br />

51 - - - - - -Mémoire vive lecture/écriture (SRAM), statique................................... NMB<br />

52 - - - - - -Autres mémoires .................................................................................. NMB<br />

59 - - - - - -Autres................................................................................................... NMB<br />

- - - - -Autres circuits de silicium, montés, y compris les circuits obtenus par<br />

l'association <strong>des</strong> technologies MOS et bipolaire (technologie BiMOS) :<br />

61 - - - - - -BiMOS à titre complémentaire, mémoires ........................................... NMB<br />

62 - - - - - -BiMOS à titre complémentaire, autres que mémoires, y compris à<br />

logique.................................................................................................. NMB<br />

69 - - - - - -Autres................................................................................................... NMB<br />

90 - - - - -Autres circuits montés, autres que de silicium, y compris les circuits<br />

obtenus par l'association <strong>des</strong> technologies MOS et bipolaire<br />

(technologie BiMOS) .............................................................................. NMB

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