Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
ICP
ICP
a.
PMOS
Not -
c.
NMOS
Not + +Nit
VGB
VGB
ICP
ICP
b.
NMOS
Nit
d.
PMOS
Not - +Nit
avant dégradation
après dégradation
VGB
VGB
Chapitre II
FIG. II.18 – Représentation schématique des cas standards de dégradation. a : charge néga-
tive importante piégée dans l’oxyde sur PMOS, b : création d’états d’interface dominante sur
NMOS, c : charge positive associée à la création d’états d’interface sur NMOS, d : charge né-
gative associée à la création d’états d’interface sur PMOS [26].
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