Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
τ = BI −n
G
(IV.30)
où B est une constante et n la pente dans l’échelle Log-Log. Ayant considéré que les deux mé-
canismes (DT et HH) étaient indépendants, nous pouvons écrire :
τtun = B1(I tun
G ) −n1 (IV.31)
(IV.32)
τinj = B2(I inj
G )−n2 (IV.33)
où τtun et τinj sont les durées de vie du transistor PMOS s’il subissait uniquement les injections
tunnel et de trous chauds pendant le stress à VGS = VDS. B1 , B2 sont des constantes, et n1 et
n2 sont les pentes sur une échelle Log-Log. On peut exprimer le courant en fonction du temps
nécessaire pour atteindre le niveau de dégradation choisi :
et ainsi reformuler (III.13) comme :
�
τ
�−1/n =
B
IG =
�
τ
�−1/n B
� �−1/n1 τtun
B1
+
� �−1/n2 τinj
B2
(IV.34)
(IV.35)
On peut finalement exprimer la durée pour le stress HH en fonction des durées de vie des deux
mécanismes pris indépendamment :
τ = B
��τtun �−1/n1 B1
+
� τinj
B2
� �−n −1/n2
(IV.36)
τtun et τinj s’obtiennent en traçant la durée de vie avec en abscisse les courants de Grille corres-
pondant aux deux mécanismes, grâce à la technique présentée au chapitre III (III.2.4.c). La Fig.
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