Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
une limitation qui parait de plus en plus présente au fur et à mesure que l’oxyde de Grille
s’amincit. De part la configuration de mesure, lorsque l’on mesure IGB, on mesure la somme du
courant de Grille et du courant pompé. Pour les oxydes épais, ceci ne pose bien évidemment pas
de problème particulier. En revanche, si le dioxyde de silicium est le siège de courant tunnel,
celui ci peut être du même ordre de grandeur que le courant pompé. Masson [19] a proposé une
manière simple de s’affranchir de ce problème en soustrayant la composante tunnel au courant
pompé. Cette composante tunnel se calcule en intégrant la composante DC du courant de Grille
suivant la valeur du potentiel appliqué :
IT unnel = 1
Tp
� Tp
0
IGB [VG (t)] dt (II.44)
IGB [VG (t)] est la soustraction du courant de Grille et du courant substrat obtenus dans les
conditions statiques. La Fig. II.21 représente les composantes tunnel entre VGS = ±VDD pour
une technologie 2.1nm. On remarque suivant le sens de la mesure et l’amplitude choisie, le
courant tunnel peut être important en inversion faible (PMOS). D’autre part, on peut noter que
le courant substrat reste très faible, à la limite du banc (10fA) et augmente à partir deVF B en
accumulation, ce qui nous permet d’approximer IGB ≈ IG.
[19] :
92
FIG. II.21 – Courant de Grille et de substrat nécessaires au calcul de IGB = IG − IB
.
Dans le cas de signaux sinusoïdaux, le signal de Grille s’écrit comme la fonction du temps