Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
FIG. IV.1 – Relation entre le paramètre A de (IV.2) et la tension de Drain pendant les stress IB
effectués sur des NMOS des technologies T1, T2 et T3 ; A est extrait des cinétiques de dégrada-
tion du courant de Drain mesuré en régime linéaire pendant le stress.
Par ailleurs, il a été démontré analytiquement que les pics de courant du courant substrat
peuvent être décrits par [4] :
I max
�
BS ∝ exp − β
�
∝ A
VDS
β
α (IV.3)
A partir de (IV.1), (IV.2) et (IV.3) on peut déduire une première relation simplifiée 1 de la durée
de vie τ :
� �
b
τ ∝ exp
VDS
(IV.4)
On choisit pour cela un critère, ce qui revient à fixer la valeur limite pour ∆P . La valeur stan-
dard est 10%. Dans cette dernière relation, b est simplement le rapport n/α.
De la même façon, Takeda [3] a établi une relation de la durée de vie en fonction du courant
substrat :
1. Cette expression découle en fait de la relation du courant substrat au champ latéral : b/VDS a remplacé
b/(VDS − VDSat) (I.113) dans I.4.5
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