Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Chapitre III
de Grille de 11V , qui correspond à un champ dans l’oxyde proche de −9MV/cm. Le stress
IGe montre une loi logarithmique du temps, ce qui n’est pas le cas pour VG- qui est en loi de
puissance.
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FIG. III.21 – Comparaison des dégradations du courant de Drain (linéaire) pendant les stress
IGe et VG- (-11V).
Les mesures CP effectuées pendant le stress VG- n’ont pas permis la détection de charges
piégées dans l’oxyde, mais une génération d’états d’interface caractérisée par une augmentation
du courant pompé : ∆ICP = 250pA. Cette valeur donne une quantité d états d’interface Nit =
1.56×10 10 cm −2 . Cette quantité est proche de celle obtenue dans le cas du stress IGe, pour lequel
la présence des charges piégées entraîne une réduction de courant 10 fois plus importante.
III.2.3 Oxydes moyens : 6.5nm
Pour l’étude de cette gamme d’épaisseur d’oxyde, nous avons étudié la technologie T2 où
Tox vaut 6.5nm. Ces dispositifs sont conçus à partir de T3/T4 par ré-oxydation de l’oxyde de
2.1nm jusqu’à 6.5nm. L’épaisseur d’oxyde de cette technologie autorise un courant tunnel plus
important que pour l’oxyde 12nm, en mode Fowler Nordheim accessible pour des tensions plus
élevées. Les dégradations VG+ sont donc les plus faibles. Avant de présenter les résultats expé-
rimentaux pour la technologie T2, précisons que les échantillons dont nous disposions avaient
une diode de protection (vis à vis des décharges ESD notamment) sur la Grille, rendant impos-
sibles les mesures par pompage de charges.
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