Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
ID/S = q 2 fCP Seff ⎣−Dit∆ψ e S
⎡
IB = q 2 fCP Seff ⎣−Dit∆ψ h S
⎤
Chapitre II
� ��
+ Dit∆ψ
�
I1
ee ⎦
S � �� �
(II.20)
⎡
I2
⎤
+ Dit∆ψ
� �� �
he ⎦
S
(II.21)
� �� �
Les courants I1 et I2 correspondent aux étapes 3, 5 et 6, de même I3 et I4 sont relatifs aux étapes
1, 2 et 7. Dans le tableau II.1 on peut trouver les significations des différents ∆ψ.
Variations de ψ Mouvements de charges associés
∆ψe S
∆ψee S
∆ψh S
∆ψhe S
I3
capture des électrons de la BC en provenance des Source et Drain
émission des électrons vers la BC collectés à la Source et au Drain
capture des trous vers la BV collectés au substrat
émission des trous de la BV en provenance du substrat
TAB. II.1 – Signification des ∆ψ de (II.20) et (II.21)
Le calcul de ICP revient à calculer (−∆ψe S
courant pompé mesuré au substrat, on a :
ICP = qfCP Seff
�
−
� Eem,e
EIF
I4
+ ∆ψee
S ) ou � −∆ψ h S
Dit(E)dE +
� Eem,h
EIF
�
+ ∆ψhe S . Dans le cas du
�
Dit(E)dE
(II.22)
= qfCP SeffDit(Eem,h − Eem,e) (II.23)
Basé sur les travaux de Simmons [14][15], le calcul de Eem,e et Eem,h a été simplifié par un
développement limité effectué par Groeseneken :
Eem,e =
�
� ��
Ei − EF,inv
Ei − kT ln vT σe,nnitem,e + exp
kT
Eem,h =
�
�
Ei + kT ln vT σh,nnitem,h + exp − Ei
��
− EF,acc
kT
(II.24)
(II.25)
Notons ici que ces expressions sont obtenues par développement limité, mais que Masson [22]
a obtenu dans le cadre d’une étude dynamique des expressions similaires avec un facteur 1
ln(2)
devant vT . En notant que Ei − EF,inv et Ei − EF,acc s’expriment en fonction de φF et que les
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