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Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

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tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007<br />

Chapitre I<br />

compte <strong>de</strong> l’eff<strong>et</strong> plus prononcé du champ vertical. La mobilité effective <strong>de</strong>vient dans ce cas<br />

une expression quadratique <strong>de</strong> (VGS − VT h − VDS/2) [26] :<br />

µeff =<br />

µ0<br />

1 + θ1(VGS − VT h − α VDS<br />

2 ) + θ2(VGS − VT h − α VDS<br />

2 )2<br />

(I.81)<br />

Enfin si le champ <strong>la</strong>téral est important <strong>et</strong> présente une forte influence sur <strong>la</strong> mobilité <strong>de</strong>s por-<br />

teurs du canal, on utilise une expression <strong>de</strong> <strong>la</strong> mobilité effective dans <strong>la</strong>quelle les influences <strong>de</strong>s<br />

champs <strong>la</strong>téral <strong>et</strong> vertical sont décorrélées (BSIM 2) [27] :<br />

µeff =<br />

µ0<br />

1 + θ1(VGS − VT h) + θ2(VGS − VT h) 2 + θCVDS<br />

e ) Saturation <strong>de</strong> <strong>la</strong> vitesse <strong>de</strong>s <strong>porteurs</strong> avec le champ électrique <strong>la</strong>téral<br />

(I.82)<br />

La po<strong>la</strong>risation transversale qui existe le long <strong>de</strong> <strong>la</strong> couche d’inversion induit un champ<br />

électrique responsable du transport <strong>de</strong>s <strong>porteurs</strong> minoritaires entre <strong>la</strong> Source <strong>et</strong> le Drain. La<br />

saturation du niveau <strong>de</strong> courant est essentiellement due à <strong>la</strong> saturation <strong>de</strong> <strong>la</strong> vitesse <strong>de</strong>s <strong>porteurs</strong><br />

dans le canal. Celle-ci s’exprime en fonction <strong>de</strong> <strong>la</strong> mobilité comme �ν = µ � ξ, µ est <strong>la</strong> mobilité.<br />

Le champ électrique s’exprime c<strong>la</strong>ssiquement [28] par une re<strong>la</strong>tion en cosinus hyperbolique :<br />

� �<br />

x − xsat<br />

ξ(x) = ξsat cosh<br />

l<br />

l =<br />

�<br />

ɛSi<br />

Toxxj<br />

ɛOX<br />

(I.83)<br />

(I.84)<br />

où ξsat est le champ <strong>de</strong> saturation au point <strong>de</strong> pincement xsat(qui apparaît pour VDS = VDsat<br />

en xsat = leff) <strong>et</strong> l est <strong>la</strong> longueur effective <strong>de</strong> <strong>la</strong> région <strong>de</strong> saturation <strong>de</strong> <strong>la</strong> vitesse <strong>de</strong>s <strong>porteurs</strong><br />

[29]. Le champ critique est relié <strong>la</strong> vitesse maximale <strong>de</strong>s <strong>porteurs</strong> par :<br />

νsat = µsatξsat<br />

(I.85)<br />

La valeur maximale du champ Em s’exprime ainsi en fonction <strong>de</strong> <strong>la</strong> tension <strong>de</strong> saturation <strong>et</strong> <strong>de</strong><br />

<strong>la</strong> valeur du champ critique :<br />

�<br />

�VDS<br />

�2 − VDsat<br />

Em =<br />

l<br />

+ ξ 2 sat<br />

(I.86)<br />

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