Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
Pour arriver à cette relation, nous avons considéré que le mécanisme dominant est le pié-
geage de charges négatives dans l’oxyde (stress HE). Il faut donc remplacer ∆Nit par ∆Not
dans la constante de (IV.11). Ainsi l’exposant u est le rapport entre l’énergie nécessaire pour
les électrons injectés d’être piégés dans l’oxyde (φot,e) et la hauteur de barrière (φb,e(Fox)) :
u = φot,e/φb,e(Fox).
FIG. IV.7 – Durée de vie suivant les courants de Drain et de Grille d’un transistor NMOS de
la technologie T1 soumis à un stress HE, le critère est 10% du courant de Drain en régime
linéaire.
Nous avons représenté sur la Fig. IV.7 le tracé de la durée de vie d’un transistor NMOS pour
un stress HE avec ce mode de représentation. L’exposant de la droite obtenue est u = 0.88. En
prenant φb,e = 3.2eV (puisque Fox ≈ 0V/cm au Drain), on trouve pour l’énergie de piégeage
φot,e = 2.88eV en accord avec le LEM [10].
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