Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
G
V GS
V‘ GS
R D
R S
S
D
FIG. I.34 – Schéma équivalent de la loi des nœuds pour le calcul de RSD.
4. de la résistivité des différentes zones, liée au dopage, a la présence de pockets ou halos.
L’ensemble de ces contributions, fortement dépendantes de la complexité de la technologie
étudiée, sont rassemblées sous le terme RSD. La loi d’Ohm donne simplement Rm = VDS/IDS,
òu Rm est la résistance mesurée. Dans le cas d’un transistor non dégradé, la symétrie de la
structure impose RS = RD. Pour tenir compte des résistances d’accès, on peut rajouter RS et
RD en série avec le transistor (figure I.34) et on a :
V‘ DS
V DS
V ′
GS = VGS − IDSRS (I.115)
V ′
DS = VDS − IDS(RS + RD) (I.116)
On s’intéresse à l’équation du courant en régime linéaire, où la résistance est la plus forte, avec
une réduction de mobilité à un seul coefficient θ :
IDS = µ0COXWG
LG
Pour alléger l’écriture on utilise les notations
V ′ ′
DS (V GS − VT h −
1 + θ(V ′
GS − VT h)
αV ′
DS
2 )
(I.117)
VGT = VGS − VT h (I.118)
k0 = µ0COXWG/LG (I.119)
k = k0/(1 + θ(VGT )) (I.120)
et on prend α ≈ 1. En incorporant (I.115) et (I.116) dans (I.117) et négligeant les termes de
second ordre en IDS on peut écrire :
�
IDS = k VGT − IDSRS − VDS
�
− IDSRSD
(VDS − IDSRSD) (I.121)
2
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