Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...
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tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007<br />
ANNEXE B<br />
Courant <strong>de</strong> fuite à travers l’oxy<strong>de</strong> <strong>de</strong> grille<br />
mince<br />
Nous avons vu dans les chapitres II, III <strong>et</strong> IV que le courant <strong>de</strong> Grille joue un rôle <strong>de</strong> plus<br />
en plus prépondérant avec <strong>la</strong> réduction <strong>de</strong> Tox. Nous allons donc décrire plus précisément dans<br />
c<strong>et</strong>te annexe les phénomènes tunnels dans les oxy<strong>de</strong>s <strong>de</strong> Grille <strong>de</strong>s structures MOSFETs.<br />
qV<br />
qψsp<br />
qVox<br />
JFN<br />
EFSp<br />
qψs<br />
métal SiO2<br />
n-Si<br />
φS<br />
qψsp<br />
EFS<br />
p+ Poly-Si<br />
FIG. B.1 – diagramme <strong>de</strong> ban<strong>de</strong> d’une structure n + -poly-Si/SiO2/n-Si montrant l’eff<strong>et</strong> tunnel<br />
pour les électrons <strong>de</strong> <strong>la</strong> ban<strong>de</strong> <strong>de</strong> conduction <strong>de</strong> <strong>la</strong> couche d’accumu<strong>la</strong>tion dans le cas Fowler-<br />
Nordheim JF N (à gauche), direct JDT (à droite)<br />
Le courant <strong>de</strong> grille est dû au transport <strong>de</strong>s <strong>porteurs</strong> à travers l’oxy<strong>de</strong> <strong>de</strong> grille par eff<strong>et</strong><br />
tunnel. Bien qu’étant iso<strong>la</strong>nt, sa faible épaisseur associée à <strong>la</strong> présence d’un champ vertical Fox<br />
entraînent une probabilité non nulle pour les <strong>porteurs</strong> <strong>de</strong> franchir c<strong>et</strong>te barrière <strong>de</strong> potentiel. En<br />
qV<br />
qψsp<br />
qVox<br />
JDT<br />
EFSp<br />
SiO2<br />
qψs<br />
φS<br />
qψsp<br />
n-Si<br />
EFS
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