Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
B.2 Courant tunnel direct
Dans le cas du courant tunnel direct, il faut considérer plusieurs composantes (Fig. III.34) :
les électrons de la bande de conduction (ECB), les électrons de la bande de valence (EVB)
qui participent au courant substrat et les trous de la bande de valence (HVB) 4 . Les expres-
sions (B.2), (B.3) et (B.6) restent valables, mais cette fois ci, x1 = Tox. On obtient ainsi après
intégration 3 :
et
�
TDT (E,Et) = exp − 4 (2mox)
3
1/2
q�
× (φS + EF S − E + mt/moxEt) 3/2 − (φS + EF S − E + mt/moxEt − qVox) 3/2
�
JDT =
�
1 −
AF 2 OX
�
φS−qVOX
φS
� 1/2 � 2 exp
�
Fox
− B
FOX
φ 3/2
S − (φS − qVOX) 3/2
φ 3/2
S
�
(B.11)
Sur la Fig. B.2 on compare les mesures des densités de courant de Grille pour l’oxyde mince et
pour les oxydes épais. La différence de comportement entre les deux modes est nette, le mode
DT demande de très faibles tensions VGS pour donner une plus forte densité de courant.
4. W-C. Lee, C. Hu, “modeling CMOS tunneling currents through ultrathin oxide due to conduction- and
valence-band electrons ans holes tunneling”, IEEE transactions on electronic devices, vol 48, no. 7, 1366- -1373
pp., 2001.
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