Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Chapitre III
silicium-oxyde de silicium. L’énergie de ces électrons étant supérieure à la barrière de poten-
tiel, la conduction est dite de type thermoïonique comme illustré sur la Fig. III.2 et le courant
résultant s’exprime sous la forme de l’équation de Richardson-Schottky [9]:
Jtherm = 4πqm∗ox h3 (kT ) 2 exp
� � �
−φb,e
exp
kT
1
kT
� qEox
4πɛox
�
(III.4)
où h est la constante de Planck, k est la constante de Boltzmann et m∗ OX est la masse effective
des électrons dans l’oxyde.
qV
Abaissement de la
hauteur de barrière
Métal
EFSp
SiO2 p-Si
∆φ b,e (Fox)
FIG. III.2 – Illustration de l’injection Richarson-Schottky et de l’abaissement de la hauteur de
barrière (force image), pour les électrons dans la zone de charge d’espace proches du Drain.
Le nombre d’électrons qui atteignent la Grille peut aussi être évalué par la probabilité Pinj
pour les électrons du canal d’acquérir l’énergie nécessaire pour franchir la barrière :
�
Pinj ∝ exp − φb,e
�
qλeξm
EFS
(III.5)
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