Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Chapitre III
FIG. III.48 – Dégradation du courant au cours d’injections uniformes de trous sur des PMOS
de la technologie T3 mesuré dans plusieurs polarisations (régimes linéaire et saturé).
c ) Spécificité du cas HH dans le PMOS
Sur la Fig. III.49 on compare les courants de Grille mesurés à VDS = 0V et VDS = VGS,
on observe un comportement similaire des courants I DT
G
(labels pleins) et IHH
G
(labels ajourés),
avec une supériorité du courant tunnel quand VDS = 0V . Ceci semble indiquer que très peu
de porteurs chauds injectés atteignent la Grille. En revanche le courant substrat mesuré est plus
important avec VDS = VGS (HCI) que dans le cas où VDS = 0V (EVB). Le courant HCI est
révélateur d’un fort taux de génération de porteurs chauds et le courant EVB est composé des
électrons provenant de la bande de valence de la Grille par injection tunnel direct (DT).
Nous avons modélisé ce comportement en considérant une séparation entre les zones d’in-
jections tunnels et d’injections de porteurs chauds. La première zone a pour longueur Ltun et la
seconde Linj et Leff = Ltun + Linj. Comme le montre la Fig. III.50, les dégradations générées
par porteurs chauds s’étalent donc sur Linj. Nous faisons ici l’hypothèse que la transition entre
les deux modes d’injection est abrupte. Ceci nous permet d’écrire :
où I tun
G
I HH
G
= I tun
G + I inj
G
est le courant de trous provenant de la région de la Source et Iinj
G
(III.13)
le courant dû à la
fraction de trous chauds injectés qui ont pu atteindre la Grille. Notons alors α la proportion de
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