Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
Tox(nm) 12nm 6.5nm 2.1nm
φF (V ) 0.35 0.4 0.43
VF B(V ) -0.91 -0.96 -0.99
Cox(F/cm 2 ) 2.87 × 10 −7 5.31 × 10 −7 1.64 × 10 −6
Fox(MV/cm) 4.34 5.32 6.33
TAB. III.7 – Valeur du champ électrique dans l’oxyde de Grille en fonction de son épaisseur.
Nous avons représenté sur la Fig. III.27 la variation du courant de Drain d’un transistor
NMOS de la technologie T2 soumis à une injection uniforme avec une tension de Grille VGS =
7V . Cette tension de stress est élevée vis à vis de la tension d’alimentation (3.3V ), mais est
révélatrice de l’effet de l’injection des électrons, les 10% de dégradation sont atteints en 100s.
Comme pour le cas des stress au maximum du courant substrat, la pente de ces cinétiques est
n ≈ 0.5. Notons qu’au delà de ce temps de 100s on observe une légère saturation des courbes,
qui peut être imputable à un effet de saturation de la génération de ∆Nit.
FIG. III.27 – Dégradation du courant de Drain pendant une injection uniforme à VGS = 7V
mesurée dans plusieurs conditions de polarisation (linéaire et saturé) pour un NMOS de la
technologie T2.
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