Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Chapitre IV
IV.15 montre ces tracés et les compare au stress uniforme (VG-). On constate que le mécanisme
tunnel tun, pris isolé, donne une durée de vie proche du cas VG-. Le mécanisme correspondant
à l’injection de trous chauds (inj) implique la durée de vie la plus faible. Dans le tableau IV.4
FIG. IV.15 – Comparaison des durées de vie exprimées en fonction du courant de Grille pour
les transistors PMOS de la technologie T3 soumis au stress HH d’une part et VG- d’autre part.
nous avons réuni les données obtenues sur la Fig. IV.15.
mécanisme : inj tun HH VG-
τ (s) 1.2 × 10 7 1.9 × 10 8 2.7 × 10 7 1.45 × 10 8
B (sA −1 ) 10 −67 10 −57 10 −47 10 −16
n 6.63 5.7 4.7 2.3
TAB. IV.4 – Durée de vie pour les stress HH et VG-, et paramètre des courbes obtenues par le
modèle de séparation, pour le transistor PMOS de la technologie T1.
Pour le stress HH la durée de vie est plus faible que pour VG-, conformément à nos ob-
servations précédentes : τHH = 2.7 × 10 7 s et τDT = 1.45 × 10 8 s. Le rapport entre ces deux
quantités est de 0.26, soit la valeur de (Leff − Ltun)/(1 − α). Le calcul de τ , c’est à dire la
durée de vie globale pour le stress HH, avec (IV.36) donne une valeur de 3.5 × 10 7 . Cette valeur
est proche de celle obtenue à partir des données expérimentales (2.7 × 10 7 ).
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